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一种碳化硅平面的芬顿反应和洛伦兹力协同抛光方法，碳化硅平面抛光通过低压磨粒流实现；低压磨粒流的流道顶面倾斜角度可调，通过更换置于加工装置内的角度块零件实现；芬顿反应是对碳化硅工件的表面预处理，在抛光前通过芬顿反应使碳化硅工件表面生成二氧化硅薄层，降低工件表面硬度；洛伦兹力为磁场对带电磨粒的作用力；磁场为置于加工装置后方的电磁铁所产生的平行于工件表面且垂直于磨粒流流动方向的强度可调均匀磁场，在所述磁场的作用下，流场中运动的带正电磨粒受到垂直指向工件表面的洛伦兹力作用，向工件表面运动；带正电磨粒为表面带正电荷的氧化铝磨粒。本发明抛光后工件表面粗糙度均匀、表面质量高、加工效率高。

本发明公开了一种基于梯度弹性研抛盘的接触应力分布解析法，包括如下步骤：(1)针对工件的加工要求建立去除函数MRR(y)；(2)根据Preston方程得到理想的接触应力分布函数P*(y)，通过P*(y)确定研抛盘沿径向y上理想的的弹性模量分布函数E*(y)；(3)根据E*(y)建立面内梯度分布弹性薄层接触模型，根据侧向形变εx与εy，引入补偿函数H(z)补偿非主轴应力对接触应力P(y)的影响，修正梯度弹性层在竖直方向的形变位移L，用半逆解法推导出接触应力解析方程P(y)；(4)构建仿真模型，完成静态应力仿真，将仿真结果同解析方程建立耦合关系，假设补偿函数表达式，完成接触应力解析解的优化方程。

本发明公开一种碳化硅表面化学机械复合加工方法，包括以下步骤：先将磨抛工具和碳化硅分别安装在磨抛设备的机台上，所述磨抛工具包括复合而成的活性金属和磨粒，然后在外力作用下将碳化硅压向磨抛工具的表面，最后使得高速转动的磨抛工具与碳化硅发生相对运动，进而产生高速摩擦并诱导活性金属与碳化硅发生化学反应，再以磨粒与碳化硅间的机械作用去除反应层，从而形成化学‑机械复合循环的加工方式，实现碳化硅的表面研磨与抛光。本发明通过化学反应与机械去除相结合的方式，对碳化硅的去除率高，且能够得到近无损伤的碳化硅表面，实现碳化硅的高效高质去除，为碳化硅的高效精密加工提供了新的思路。

本发明提供一种纳米多晶金刚石圆弧刃车刀的化学机械抛光方法，步骤为：制备A型和B型抛光液；利用浸水状态下的玻璃盘作为粗抛抛光盘，通过夹具将纳米多晶金刚石圆弧刃车刀放于玻璃细盘上，设定粗抛工艺参数，并利用A型抛光液对纳米多晶金刚石圆弧刃车刀进行粗抛，得到切削刃钝圆半径为100mm‑200nm的纳米多晶金刚石圆弧刃车刀；选取具有惰性且硬度适中的氧化铝作为磨粒，通过夹具将纳米多晶金刚石圆弧刃车刀放于玻璃细盘上，设定精抛工艺参数，并利用B型抛光液对纳米多晶金刚石圆弧刃车刀进行抛光，得到钝圆半径小于50nm的纳米多晶金刚石圆弧刃车刀。本发明具有更高的材料去除率，得到具有锋利刃口的纳米多晶金刚石圆弧刃车刀。

本发明公开了一种硬质磨料与衬底在纳米尺度下的界面化学反应的实现装置及其实现方法，包括液气模块、控温模块和主轴模块，液气模块用于在液气箱内存在不同的液气介质，控温模块包括加热装置和降温装置，主轴模块包括带有压力控制的标准纳米划痕装置、光学镜头、转换盘和运动装置，光学镜头用于寻找衬底上的划擦位置，标准纳米划痕装置用于在衬底上施加不同的载荷并划擦，转换盘用于将光学镜头与纳米划痕压头进行切换，控温模块用于控制不同的温度，实现在不同的温度、液气介质和/或载荷条件下纳米划痕压头在衬底表面低速划擦，有助于观察在不同介质作用下硬质磨料与衬底之间纳米尺度的界面化学反应，在半导体超精密加工领域具有良好的应用前景。

本实用新型公开了一种抛光液循环过滤及抛光装置，包括基架、底板、收集箱、漏槽、滑移式抛光装置、防护喷洒装置、压紧装置和过滤装置，所述底板设于基架的下端，所述底板上设有零部件，所述收集箱设于底板的内部，所述漏槽设于底板内且与收集箱相连接，所述滑移式抛光装置设于基架上，所述防护喷洒装置设于滑移式抛光装置上且与收集箱相连，所述压紧装置设于基架上且能够对零部件进行压紧，所述过滤装置设于收集箱内。本实用新型属于抛光技术领域，具体是指一种防止抛光液飞溅，过滤除杂效果好的抛光液循环过滤及抛光装置。