发明专利已授权

一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法

📄 申请号：CN201810529204.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-05-29

公开号

CN108560050B

公开日

2020-11-17

申请人

西安工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_12

IPC 分类号

C30B29_12 , C30B28_04 , C30B30_02 ,

技术画像

所属领域

薄膜材料薄膜材料半导体材料晶体生长

应用场景

辐射探测, X射线成像, 核医学成像, 半导体器件, 光电器件

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摘要

本发明属于化学液相沉积领域，具体涉及一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法。本发明主要解决碘化汞薄膜籽晶层定向生长的问题。本发明提供了一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法：利用化合物碘化汞（α‑HgI2）和氢碘酸（HI）为基本原料，调整加入到体系HI的浓度，控制[HgI3]和[HgI4]2‑的生成速率；通过施加横向静电场，使[HgI3]和[HgI4]2‑在溶液中定向移动，碰撞形核并结晶从而形成择优生长的碘化汞薄膜籽晶层。生成的碘化汞薄膜籽晶层在基片（电极）材料上沉积一层同质薄膜，为气相外延生长提供定向晶核，从而增大薄膜单向生长几率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20201117

✅ 授权

20181023

?? 实质审查的生效：

20180921

📄 公开

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