发明专利已授权

一种基于碳保护膜的半导体激光器外延片的退火方法

📄 申请号：CN201811500610.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-12-10

公开号

CN109742649B

公开日

2020-06-23

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01S5_02

IPC 分类号

H01S5_02

技术画像

所属领域

半导体工艺半导体工艺半导体激光器退火工艺

应用场景

半导体制造, 光通信, 激光器制备

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摘要

一种基于碳保护膜的半导体激光器外延片的退火方法，包含下述步骤：1)650℃-720℃条件下，在衬底上先生长一层缓冲层，再依次生长半导体激光器的材料结构中的其他各层薄膜，获得半导体激光器外延片；2)半导体激光器外延片表面处理，在半导体激光器外延片的表面涂覆光刻胶，将光刻胶在高温下进行固化和碳化，使其表面形成一层致密的碳保护膜；3)退火处理，将表面有碳保护膜的半导体激光器外延片在高温退火炉中进行高温退火处理；4)去除半导体激光器外延片表面的碳保护膜，通过去碳保护膜溶液浸泡和超声清洗来除去退火后的半导体激光器外延片表面的碳保护膜；可有效降低外延片缺陷密度，提高激光器外延片质量，保证激光器的优越性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240702

?? 专利权的转移：

20200623

✅ 授权

20190604

?? 实质审查的生效：

20190510

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：26 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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