发明专利已授权

一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法

📄 申请号：CN202010543296.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-06-15

公开号

CN111705361B

公开日

2021-05-11

申请人

深圳万知达技术转移中心有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_06

IPC 分类号

C30B29_06 , C30B33_12 , C30B33_04 , C30B33_02 ,

技术画像

所属领域

光子晶体光子晶体微纳加工纳米材料制备

应用场景

光通信器件, 光学传感器, 显示技术, 光学滤波器, 波导器件

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摘要

本发明公开了一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法，包括步骤：S1：在硅基光子晶体表面离子刻蚀出规则排列的二维阵列微孔；S2：采用两块水平的钼板作为电场的两个电极板，钼板电极分别与直流电源连接；S3：将硅片样品放置在水平管式炉的高温加热区内，保证管内真空环境，向管内通入一定流量的纯氩气；S4：将钼板放置在水平管式炉的上下两侧；S5：调节直流电压控制电场强度，并进行热处理。本发明在温度场的基础上，拟通过引入电场，通过调节电场强度、方向、作用时间等参数，利用热‑电耦合抵消内部机械应力，来保障硅基内部结构的稳定成形。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240910

?? 专利权的转移：

20210511

✅ 授权

20201027

?? 实质审查的生效：

20200925

📄 公开

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