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一种大规模制备高纯度单晶石墨烯的方法

Name: 一种大规模制备高纯度单晶石墨烯的方法
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 202111584911X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111584911.X 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-12-22

公开号

CN114318490B

公开日

2023-06-16

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B1_10

IPC 分类号

C30B1_10 , C30B29_02 ,

技术画像

所属领域

石墨烯材料石墨烯材料化学气相沉积晶体生长

应用场景

半导体器件, 集成电路, 透明导电薄膜, 传感器, 储能材料

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摘要

本发明公开了一种大规模制备高纯度单晶石墨烯的方法，包括以下步骤：(1)制备丝素蛋白溶液；(2)制备高分子含碳有机薄膜；(3)微波等离子预处理；(4)真空煅烧。本发明以无污染的丝素蛋白胶体作为碳源，既避免了普遍使用气体作为碳源所带来的安全性问题，又不会产物石墨烯造成污染；通过微波等离子体技术及真空炉煅烧，能一次性制备出大量的单晶石墨烯粉末，实现大规模的石墨烯制备；石墨烯的形成温度在1100～1700℃，相比于其他工艺的石墨烯形成温度(2800℃)更低。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN114318490B

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：49 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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📊 出价记录 (3条)

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