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一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法

Name: 一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法
Brand: 浙江理工大学
SKU: 202310019040X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202310019040.X 📄 发布日：2026/06/16

著录项目信息

申请日

2023-01-06

公开号

CN117187954B

公开日

2026-04-14

申请人

浙江理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_10

IPC 分类号

C30B29_10 , C30B25_02 , C23C16_30 , C23C16_505 ,

技术画像

所属领域

气相沉积半导体材料薄膜沉积外延生长气相沉积

应用场景

半导体器件, 光电子器件, 功率器件, LED显示

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摘要

本发明涉及半导体材料制备领域，具体涉及一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法。本发明采用金属镓作为镓源，以氧气作为氧源，以氮气为氮源，以氩气作为运输气体，进而制备GaON外延膜。本发明使用等离子增强化学气相沉积系统(PECVD)通过优化后生长参数来制备GaON外延膜，该方法能够借助辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，进而实现薄膜材料生长。由于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需要的激活能，因而显著降低反应温度和提高薄膜沉积的效率和质量，经本方法制备的GaON外延膜性能优异，符合未来工业化量产的需求。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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