发明专利已授权

一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法

📄 申请号：CN202210495206.0 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2022-05-07

公开号

CN115161772B

公开日

2024-07-12

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_46

IPC 分类号

C30B29_46 , C30B28_12 ,

技术画像

所属领域

二维材料二维材料过渡金属硫化物异质结薄膜制备

应用场景

电子器件, 光电器件, 传感器, 催化材料, 储能器件

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摘要

本发明涉及一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，属于无机纳米半导体材料领域，将装有硫粉的刚玉舟放于多温区管式炉上游低温区；将氧化钨与氯化钠混合粉、铬粉、氧化钼粉依次分开放于管式炉下游高温区的长刚玉舟上游；通入惰性保护气体，将多温区管式炉各个温区升温至目标温度使前驱体蒸发，在载气的带动下在多温区管式炉下游位置反应并沉积于放置在长刚玉舟下游的基底上，形成小晶粒多晶MoS2/WS2水平异质结薄膜。本发明仅需一步便能够在两个小时左右的时间内制备得到晶粒尺寸微小、结晶度好、多晶样品尺寸大的单层MoS2/WS2水平异质结连续多晶薄膜，反应所用的原料来源广泛、成本低廉，且操作安全、简单。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

用于应急救援重载车辆的吸振悬架控制方法及其悬架系统

当前第 / 件

用于血液系统的控压阀及其压力调节方法

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