发明专利已授权

一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法

📄 申请号：CN202010096253.9 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2020-02-17

公开号

CN111218717A

公开日

2020-06-02

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_46

IPC 分类号

C30B29_46 , C30B25_02 ,

技术画像

所属领域

二维材料二维材料晶体生长掺杂技术

应用场景

电子器件, 光电器件, 传感器, 催化剂

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摘要

本发明涉及一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Fe2O3、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Fe2O3同时硫化，共同参与成键，使Fe取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Fe掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低，制备得到的Fe掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

工业压力下合成无粘结剂聚晶氮化硼块材的方法及其应用

当前第 / 件

体育场看台护栏防腐涂刷设备

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：81 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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