发明专利已授权

多面体硅晶的制备方法

📄 申请号：CN202010314746.5 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2020-04-17

公开号

CN111410197B

公开日

2021-05-28

申请人

华东交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01B33_02

IPC 分类号

C01B33_02 , C01B33_021 ,

技术画像

所属领域

晶体材料晶体材料硅材料晶体生长工艺

应用场景

半导体器件, 光伏电池, 电子材料

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摘要

本发明公开了一种多面体硅晶的制备方法，属于多硅晶制备技术领域。所述制备方法为：以硅粉和硫粉的混合物为原料，以单质碘为输运剂；将原料和输运剂一同加入反应容器，于一定压力下真空密封，后经高温反应；将步骤二所得产物取出，经洗涤除去残留的碘，即可得到所述多面体硅晶。本发明的制备方法新颖独特、简单高效，以硅粉，硫粉，碘等材料，通过高温反应即可完成多面体硅晶的制备，制备的硅晶形貌可控，晶体质量较硅粉原料有极大的提高，副产物为另一种重要的工业原料二硫化硅，这对于高晶体质量的多面体硅晶的简单制备具有重要意义。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种可装配式螺旋桩基础及其施工方法

当前第 / 件

一种裂隙土裂隙率计算方法

同领域国内专利 · IPC: (C01B33_02)

C01B33_00 C01B33_02 C01B33_021 C01B33_023 C01B33_025 C01B33_035 C01B33_037 C01B33_10 C01B33_107 C01B33_113 C01B33_12 C01B33_14 C01B33_145 C01B33_152 C01B33_157 C01B33_158 C01B33_18 C01B33_187 C01B33_20 C01B33_22 C01B33_24 C01B33_26 C01B33_32 C01B33_40 C01B33_42 C01B33_44 覆盖26个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：72 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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