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本发明公开了一种从硅片切割废砂混合物中提取硅粉和碳化硅的方法，包括如下步骤：溶剂溶解法去除硅片切割废砂混合物中的聚乙二醇等有机杂质，酸溶法去除废砂混合物中的铁、不锈钢和二氧化硅，重油浮选、离心沉降、精密过滤分离硅粉和碳化硅。本发明提供的技术方案分离过程所产生的废液、废酸、重油经简单的处理可循环使用。该方法通过分离回收硅粉和碳化硅粉，提高了废料的利用价值，降低材料损耗，减少了环境污染，具有良好的经济和社会效益。

本实用新型公开了一种高效工业硅精炼提纯装置，保温外壳与精炼提纯装置本体之间位置装配有保温结构，保温外壳外壁上端与盖板外壁下端均固定装配有连接法兰，上下两侧连接法兰之间均匀固定连接有固定件，盖板和精炼提纯装置本体外壁之间位置固定连通有保温型排气供气管路；在精炼提纯装置本体外侧设有保温外壳，利用保温外壳的设置实现双层保温效果，并在双层的空隙内设置保温结构，保温结构为在间隔空腔内灌入水作为保温介质，延缓热量的散失，注入的水温度接近精炼提纯装置本体外壁温度，避免造成冷却效果，通过水泵注入或排出水，实现水的更换，上述方案实现了针对抬包本体自身进行保温处理，更好的杜绝了热量的散失。

本实用新型公开了一种用于金属硅炉外精炼吹氧装置，包括耐火砖，所述耐火砖呈圆柱形，所述耐火砖的外侧套设有耐火钢套，所述耐火砖位于所述耐火钢套的内部顶端，且所述耐火砖的端面均匀设有多个气孔，所述耐火钢套的内部对应所述耐火砖的下端设有吹氧装置，本实用新型通过设置耐火砖，耐火砖由耐火钢套进行包裹，并在耐火钢套的内部下端设置吹氧装置，通过吹氧装置相耐火砖吹氧，氧气经过耐火砖内的气孔，使得氧气能够通过狭缝式气孔与硅液充分接触，精炼效果好，解决了金属硅传统炉外精炼吹氧装置存在的不足，使炉外吹氧精炼过程更加安全、稳定、经济，且能使精炼过程不漏气、不渗漏硅液、无死角、无污染。

本申请涉及一种控制工业硅中钙含量的冶炼方法,包括以下步骤:向中频炉的炉膛内加入冶炼原料和含有碳酸钙的除渣剂;熔炼1.5小时至2小时;向炉膛内加入冶炼原料和除渣剂,继续熔炼1小时至1.5小时;分批次向炉膛内加入冶炼原料,每次熔炼1小时至1.5小时,直至炉膛内装满熔融的硅水;出炉后,扒去炉膛底部的炉渣。通过碳酸钙代替氧化钙,并控制冶炼原料与碳酸钙的比例,分批多次加入中频炉进行冶炼,碳酸钙分解生成的氧化钙直接存在于硅水中,因此不存在受潮的可能,从而能够避免出现氢氧化钙硅水熔化而进入硅水中导致钙的含量较高的问题,进而使得除渣效果好,以使所生产的工业硅中钙含量较低,进而使得所生产的工业硅纯度较高。

一种多晶硅的提纯方法，包括以下步骤：A：将原料多晶硅研磨至粒度为36‑260μm；B：将研磨后的多晶硅在氩气保护下以5℃/min的速度从室温煅烧至1050±5℃,再以1℃/min速度继续加热至1250±5℃然后将硅在冷水中快速淬火至室温，金属硅表面出现炸纹；C：将淬火后的多晶硅在酸洗液中酸洗;然后过滤多晶硅，再用去离子水冲洗至中性，得提纯后的多晶硅。采用本方法对多晶硅结构型杂质和粘附性杂质移除率高。多晶硅酸洗后的废液可以作为化工原料循环使用，不破坏环境。

本发明给出了一种低温脱除金属硅杂质的方法，包括以下步骤：S1、硅料粉碎及除杂：在流化床式气流粉碎装置内，以高压Ar气为载体，将粒度小于1mm的硅料进行对撞粉碎，得到一定目数的硅粉；在所述流化床式气流粉碎装置上还安装有冷等离子枪，冷等离子枪产生的冷等离子体对粉碎后的硅粉进行非金属杂质的脱除处理；S2、酸洗除杂：利用含有H2O2和HF的酸洗液对硅粉进行酸洗除杂；S3、定向凝固除杂，得到杂质含量满足太阳能硅要求的高纯硅。本发明所述脱除金属硅中非金属杂质的方法，无需高温下将硅料熔化，能耗低，除杂效果好。