专利交易市场

本发明涉及一种利用硅化镁为原料制备非晶硅/碳复合材料的方法及其作为锂离子电池负极材料的应用。非晶硅能够更好地缓冲硅体积膨胀，增强结构稳定性，是最有潜力的高比容量锂离子电池负极材料之一，而碳包覆是对硅负极进行改性的重要手段之一。本文以绿色环保的碳酸盐为碳源，利用了硅化镁分解出的镁与碳酸盐发生还原反应，在碳酸盐还原为碳的同时沉积在硅颗粒表面，从而将非晶硅的制备和包碳这两个步骤合为一步，优化了制备工艺，同样得到了具有性能优势的硅/碳复合材料。制得的非晶硅/碳复合材料在1A g‑1循环970次后的放电容量接近570mAh/g，具有优异的循环性能和倍率性能。

本发明公开了一种分级多孔硅纳米材料及其制备方法和应用。分级多孔硅纳米材料的外表面为均匀分布的多孔结构，制备方法包括盐酸刻蚀CaSi2制备硅氧烯，在硅氧烯表面原位生长氧化物获得硅氧烯‑氧化物复合纳米材料，清洗烘干复合纳米材料，惰性气氛保护下煅烧得到硅‑金属氧化物复合纳米材料、酸液浸泡等后处理得到分级多孔硅纳米材料，分级多孔硅纳米材料用于制备储能器件的电极材料。本发明方法工艺简单，成本低，得到的分级多孔硅纳米材料表面存在微孔、介孔和大孔，孔隙率高，比表面积高，可用于储能器件的电极材料并且能够表现出优异的电化学性能。

本发明提供一种高长径比Si纳米线的制备方法，Si纳米线的长度大于0.5cm，不含其他杂质，长径比大于106，该方法包括原料纯Si粉放置工序，压力控制工序，升温工序，Si纳米线生长工序，降温工序，其中Si纳米线生长工序将真空管式炉从室温升温至1200～1300℃维持1.5～4.5小时，降温工序以低于5℃/min的降温速度从高温缓慢降温至1000℃，由此获得生长于石墨片上的Si纳米线。

本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种石榴结构微球及其制备方法和应用。该方法包括步骤：1)制备至少由低残碳有机物与负极材料粉体组成的均质浆料；2)将均质浆料造粒，得到第一球形混合物；3)制备至少由高含碳量的热固性有机物和所述第一球形混合物组成的均匀料浆；4)将所述均匀浆料造粒，得到第二球形混合物；5)将步骤4)得到的所述第二球形混合物在保护气氛下进行高温碳化处理，即得所述的石榴结构微球。低残碳有机物和高含碳量的热固性有机物在高温处理后残碳量大小不同，可分别制造微球的内部多孔碳层及外层碳壳，因而可一次煅烧后即可得到最终产物。

本发明提供了一种新型超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料的制备方法，包括如下步骤：S1、采用单晶硅片为衬底，用丙酮和甲醇混合液超声清洗，用氨水和双氧水混合溶液超声清洗，再用稀释的HF超声清洗，用去离子水清洗、烘干，备用；S2、热蒸发金属Al和Sc，在S1备用的硅片衬底上形成3-5nm的金属Al和Sc混合金属膜层，作为生长Si纳米线的金属催化剂；S3、在氩气的保护下，在单晶Si衬底表面生长出Si纳米线；S4、以稀土Eu2O3、Y2O3和La2O3粉末为杂质源，按照比例混合均匀并涂覆在所述步骤S3中形成的Si纳米线的表面；S5、对步骤S4中生成的Si纳米线进行Eu3+、Y3+和La+掺杂，制备荧光纳米材料SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+。

本申请提供了一种基于多晶硅生产用还原炉尾气排放控制设备，属于多晶硅生产设备领域，该一种用于基于多晶硅生产用还原炉尾气排放控制设备包括：炉体和控制组件，所述炉体上部设置有排放管，所述控制组件包括支架、球阀、第一传动轴、万向节、机架、第二传动轴、第三传动轴、电机和第一手动件，所述第一手动件设置于所述机架一侧，所述第一手动件与所述机架转动连接，所述第一手动件一侧与所述第三传动轴传动连接。利用第一传动轴、第二传动轴和第三传动轴，将电机的位置尽可能的远离炉体，并且设置在机架的一侧，进而减少了炉体温度传导到电机的内部，降低了电机的工作时带的温度，从而可以提高电机的使用寿命。