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本发明公开了一种非晶硅粉体的制备方法，所述非晶硅粉体以二氧化硅和碱土金属氢化物为原料，在惰性气氛保护下，将二氧化硅和金属氢化物按物质的量比1:2~6称量，置于密封球磨罐中，在室温条件下，以200~600 rpm的转速，球磨反应12~300 h，球磨反应结束后，将取出的固体产物经副产物去除和分离等步骤，即可到非晶硅粉体。本发明所述的非晶硅粉体制备方法具有工艺简单、成本低、高效安全、经济环保等特点。

本发明提供了一种利用焦耳热制备单质硅的方法，属于锂离子电池负极材料制备技术领域。本发明利用焦耳热制备单质硅，焦耳热具有快速升温，快速加热的优点，并且能够保证加热的均一性，因此，本发明可快速制备单质硅。本发明得到第一粗硅后，将所述第一粗硅升温至1100～1300℃进行第二保温，可以实现副产物硅化镁分解，实现粗硅的第一次提纯，然后升温至1500～2000℃可以实现镁的快速蒸发，实现二次提纯，因此，本发明制备的单质硅具有较高的纯度，不存在后处理不安全的问题。

本发明提供一种硅纳米线阵列及其制备方法，属于微纳米材料合成领域。以成本较低的工业级硅藻土作为硅源，预处理之后与石墨和海藻酸钠混合研磨制浆，干燥后与聚酰亚胺膜、金属锂片封装，充放电数次后制得硅纳米线阵列。本发明原料易得，工艺简单，成本较低，应用前景广阔。制备出的硅纳米线形貌特征鲜明，直径大约为50nm，整体呈规整的阵列状排列，在纳米电子器件、光电子器件以及新能源等方面具有较大的应用前景。

本发明公开了一种低温球磨纳米硅粉，包括硅源、轻质金属粉、促进剂，硅源为白炭黑、石英粉、高岭土中的任一种，轻质金属粉为镁粉或铝粉，硅源和轻质金属粉的质量与促进剂的质量比为1:2.5～3.0，硅源中的二氧化硅与所述的铝粉的摩尔比为1:1.45～1.6，硅源中的二氧化硅与所述的镁粉的摩尔比为1:2.1～2.4，反应促进剂为三元氯化物盐；低温球磨纳米硅粉的制备方法，包括以下步骤：称取硅源、铝粉或镁粉、反应促进剂，置于研钵中研磨并混合均匀，得到混合粉末；将混合粉末转移到磨罐中，球磨得到纳米硅粉预制品；对纳米硅粉预制品进行处理得到纳米硅粉；纳米硅粉为棕黄色粉末，产率为90.1％～94.7％，纯立方晶系硅，粒径为30～100nm。