本发明公开了一种非晶硅粉体的制备方法，所述非晶硅粉体以二氧化硅和碱土金属氢化物为原料，在惰性气氛保护下，将二氧化硅和金属氢化物按物质的量比1:2~6称量，置于密封球磨罐中，在室温条件下，以200~600 rpm的转速，球磨反应12~300 h，球磨反应结束后，将取出的固体产物经副产物去除和分离等步骤，即可到非晶硅粉体。本发明所述的非晶硅粉体制备方法具有工艺简单、成本低、高效安全、经济环保等特点。
📄 201710247883X
📂 C01B33_023
👤 浙江工业大学
📅 2017-04-17
本发明涉及一种利用硅化镁为原料制备非晶硅/碳复合材料的方法及其作为锂离子电池负极材料的应用。非晶硅能够更好地缓冲硅体积膨胀，增强结构稳定性，是最有潜力的高比容量锂离子电池负极材料之一，而碳包覆是对硅负极进行改性的重要手段之一。本文以绿色环保的碳酸盐为碳源，利用了硅化镁分解出的镁与碳酸盐发生还原反应，在碳酸盐还原为碳的同时沉积在硅颗粒表面，从而将非晶硅的制备和包碳这两个步骤合为一步，优化了制备工艺，同样得到了具有性能优势的硅/碳复合材料。制得的非晶硅/碳复合材料在1A g‑1循环970次后的放电容量接近570mAh/g，具有优异的循环性能和倍率性能。
📄 2019107916115
📂 C01B33_021
👤 浙江工业大学
📅 2019-08-26
本发明提供了一种利用焦耳热制备单质硅的方法，属于锂离子电池负极材料制备技术领域。本发明利用焦耳热制备单质硅，焦耳热具有快速升温，快速加热的优点，并且能够保证加热的均一性，因此，本发明可快速制备单质硅。本发明得到第一粗硅后，将所述第一粗硅升温至1100～1300℃进行第二保温，可以实现副产物硅化镁分解，实现粗硅的第一次提纯，然后升温至1500～2000℃可以实现镁的快速蒸发，实现二次提纯，因此，本发明制备的单质硅具有较高的纯度，不存在后处理不安全的问题。
📄 2021113637465
📂 C01B33_023
👤 李彬
📅 2021-11-17
本发明公开了一种快速制备IV族半导体微球的装置和方法，该装置包括：10.6微米二氧化碳激光器、632.8纳米氦氖激光器、硒化锌透镜、镀金反射镜、BK7玻璃透镜、二向色镜、双光束对称加热光路系统、三维机械移动平台系统、显微成像系统和玻璃包层半导体芯光纤；首先采用玻璃包层‑熔芯拉丝法拉制玻璃包层半导体芯光纤，然后利用二氧化碳激光扫描玻璃包层半导体芯光纤形成半导体微球，成球之后去除玻璃包层，再经洗涤、干燥后得到半导体微球。本发明利用10.6微米二氧化碳激光器对光纤进行精确成球，在特定的玻璃包层半导体芯光纤结构尺寸条件下，能够精确控制成球尺寸和球度，并能够大批量生产半导体微球，具有很大的实际应用前景。
📄 2019112260799
📂 C01B33_02
👤 江苏师范大学
📅 2019-12-04
本发明公开了一种分级多孔硅纳米材料及其制备方法和应用。分级多孔硅纳米材料的外表面为均匀分布的多孔结构，制备方法包括盐酸刻蚀CaSi2制备硅氧烯，在硅氧烯表面原位生长氧化物获得硅氧烯‑氧化物复合纳米材料，清洗烘干复合纳米材料，惰性气氛保护下煅烧得到硅‑金属氧化物复合纳米材料、酸液浸泡等后处理得到分级多孔硅纳米材料，分级多孔硅纳米材料用于制备储能器件的电极材料。本发明方法工艺简单，成本低，得到的分级多孔硅纳米材料表面存在微孔、介孔和大孔，孔隙率高，比表面积高，可用于储能器件的电极材料并且能够表现出优异的电化学性能。
📄 2023103258160
📂 C01B33_021
👤 浙江理工大学
📅 2023-03-30
本发明提供一种高长径比Si纳米线的制备方法，Si纳米线的长度大于0.5cm，不含其他杂质，长径比大于106，该方法包括原料纯Si粉放置工序，压力控制工序，升温工序，Si纳米线生长工序，降温工序，其中Si纳米线生长工序将真空管式炉从室温升温至1200～1300℃维持1.5～4.5小时，降温工序以低于5℃/min的降温速度从高温缓慢降温至1000℃，由此获得生长于石墨片上的Si纳米线。
📄 2020111645759
📂 C01B33_021
👤 燕山大学
📅 2020-10-27
本发明公开了一种多面体硅晶的制备方法，属于多硅晶制备技术领域。所述制备方法为：以硅粉和硫粉的混合物为原料，以单质碘为输运剂；将原料和输运剂一同加入反应容器，于一定压力下真空密封，后经高温反应；将步骤二所得产物取出，经洗涤除去残留的碘，即可得到所述多面体硅晶。本发明的制备方法新颖独特、简单高效，以硅粉，硫粉，碘等材料，通过高温反应即可完成多面体硅晶的制备，制备的硅晶形貌可控，晶体质量较硅粉原料有极大的提高，副产物为另一种重要的工业原料二硫化硅，这对于高晶体质量的多面体硅晶的简单制备具有重要意义。
📄 2020103147465
📂 C01B33_02
👤 华东交通大学
📅 2020-04-17
本发明提供一种硅纳米线阵列及其制备方法，属于微纳米材料合成领域。以成本较低的工业级硅藻土作为硅源，预处理之后与石墨和海藻酸钠混合研磨制浆，干燥后与聚酰亚胺膜、金属锂片封装，充放电数次后制得硅纳米线阵列。本发明原料易得，工艺简单，成本较低，应用前景广阔。制备出的硅纳米线形貌特征鲜明，直径大约为50nm，整体呈规整的阵列状排列，在纳米电子器件、光电子器件以及新能源等方面具有较大的应用前景。
📄 2021114532742
📂 C01B33_023
👤 陕西科技大学
📅 2021-11-30
本实用新型公开了一种工业硅耐用冷却锭模，安装支架上端放置有容器本体，容器本体内腔底面均匀固定装配有凸起块，容器本体底面装配有风冷冷却结构，风冷冷却结构底面插接有密封盖板结构，容器本体底面和安装支架之间位置装配有翅片散热结构；采用的风冷冷却结构直接对容器本体内部进行强风至吹，容器本体左侧面开设有排风孔用于排风，利用风冷冷却结构实现容器本体的快速降温，配合容器本体外部的翅片散热结构进行辅助散热，使得容器本体内先进入的硅液快速凝固形成内衬，后进入的硅液就会在相同材质的内衬隔离下进入，减少了对容器本体的熔蚀，降低了对容器本体材质的需求，延长了容器本体的使用寿命。
📄 2022204146356
📂 C01B33_025
👤 伊犁金晶硅业有限公司
📅 2022-02-28
已申报项目
本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种石榴结构微球及其制备方法和应用。该方法包括步骤：1)制备至少由低残碳有机物与负极材料粉体组成的均质浆料；2)将均质浆料造粒，得到第一球形混合物；3)制备至少由高含碳量的热固性有机物和所述第一球形混合物组成的均匀料浆；4)将所述均匀浆料造粒，得到第二球形混合物；5)将步骤4)得到的所述第二球形混合物在保护气氛下进行高温碳化处理，即得所述的石榴结构微球。低残碳有机物和高含碳量的热固性有机物在高温处理后残碳量大小不同，可分别制造微球的内部多孔碳层及外层碳壳，因而可一次煅烧后即可得到最终产物。
📄 2021106927798
📂 C01B33_021
👤 武汉工程大学
📅 2021-06-22
本发明提供了一种新型超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料的制备方法，包括如下步骤：S1、采用单晶硅片为衬底，用丙酮和甲醇混合液超声清洗，用氨水和双氧水混合溶液超声清洗，再用稀释的HF超声清洗，用去离子水清洗、烘干，备用；S2、热蒸发金属Al和Sc，在S1备用的硅片衬底上形成3-5nm的金属Al和Sc混合金属膜层，作为生长Si纳米线的金属催化剂；S3、在氩气的保护下，在单晶Si衬底表面生长出Si纳米线；S4、以稀土Eu2O3、Y2O3和La2O3粉末为杂质源，按照比例混合均匀并涂覆在所述步骤S3中形成的Si纳米线的表面；S5、对步骤S4中生成的Si纳米线进行Eu3+、Y3+和La+掺杂，制备荧光纳米材料SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+。
📄 2019104680045
📂 C01B33_021
👤 承德石油高等专科学校
📅 2019-05-31
本申请提供了一种基于多晶硅生产用还原炉尾气排放控制设备，属于多晶硅生产设备领域，该一种用于基于多晶硅生产用还原炉尾气排放控制设备包括：炉体和控制组件，所述炉体上部设置有排放管，所述控制组件包括支架、球阀、第一传动轴、万向节、机架、第二传动轴、第三传动轴、电机和第一手动件，所述第一手动件设置于所述机架一侧，所述第一手动件与所述机架转动连接，所述第一手动件一侧与所述第三传动轴传动连接。利用第一传动轴、第二传动轴和第三传动轴，将电机的位置尽可能的远离炉体，并且设置在机架的一侧，进而减少了炉体温度传导到电机的内部，降低了电机的工作时带的温度，从而可以提高电机的使用寿命。
📄 2023116405295
📂 C01B33_021
👤 内蒙古耀煜新能源科技有限公司
📅 2023-12-04
柿子坊 · 知识产权运营
柿子坊知识产权运营平台