发明专利已授权

一种基于纳米浮栅有机场效应晶体管存储器及制备方法

📄 申请号：CN201711128735.2 📄 发布日：2026/07/15

著录项目信息

申请日

2017-11-14

公开号

CN108054169B

公开日

2021-02-23

申请人

南京邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_11517

IPC 分类号

H01L27_11517 , H01L27_28 , H01L51_05 , H01L51_30 ,

技术画像

所属领域

有机场效应晶体管有机场效应晶体管纳米浮栅存储技术有机半导体器件

应用场景

柔性电子, 数据存储, 可穿戴设备, 智能卡, 物联网

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摘要

本发明是基于有机小分子的有机场效应晶体管存储器，通过浮栅‑遂穿层一体化构造的器件结构。整个器件从上到下依次是：源漏电极、半导体层、浮栅‑遂穿层、栅绝缘层，其中浮栅层与遂穿层共同构成构成电荷存储层。本发明旨在通过简单的溶液悬涂工艺形成一种纳米结构避免了复杂的纳米技术制备薄膜，实现较大的存储窗、开关比(105)、具有较好的稳定性反复擦写耐受性、实现了光擦除有利于信息加密，并且成本较低可以大面积商业推广、生产。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

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当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：14 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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