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本发明公开了一种用于柔性场效应晶体管的聚合物介电层的制备方法。聚合物介电材料Polyvinyl alcohol(PVA)虽具有高介电常数，但利用旋涂方法很难控制其形成的介电层的厚度，这会使对应场效应晶体管的漏电流大，导致开启电压大、稳定性差。我们特别引入一种可有效控制介电层厚度的刮涂加工技术。首先，在PVA溶液中加入两种交联材料并充分搅拌；接着，利用刮涂技术将热交联溶液涂抹在PEN/ITO基底上形成cPVA介电层。基于该介电层的柔性场效应晶体管表现出了极佳的电学性能。我们提出的方法简单有效、成本低、适用于大面积生产和柔性器件，为场效应晶体管在可穿戴电子电路中的应用打下了坚实的基础。

本发明主要研究一种应用于柔性显示领域的有机场效应晶体管（OFET）结构设计，包括：柔性衬底材料PET，在PET上真空蒸镀AL作为栅电极，旋涂聚合物甲基丙烯酸甲酯（PMMA）溶液作为介电层，真空蒸镀有机小分子材料并五苯（pentacene）及有机材料环已基二[N,N(4-甲基苯基)苯胺]（TAPC）作为有机层，最后真空蒸镀金属金（Au）作为源漏电极。有机层采用体异质结结构提高载流子传输能力。定制不同沟道宽长比的源漏电极掩膜板，在其它工艺参数不变的情况下，选择最优的沟道宽长比，进一步提高载流子的传输能力，使得载流子的传输速率能够达到商用标准1cm2/（v.s）。

本发明属于传感器技术领域。一种石墨烯增强薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：在衬底上制备石墨烯薄膜；石墨烯薄膜图形化；在图形化后的石墨烯薄膜表面制备底电极；在底电极和石墨烯薄膜表面生长有机半导体材料，形成功能层；在功能层表面采用电子束蒸镀制备顶电极；在顶电极和功能层表面旋涂PMMA薄膜，形成保护层。本发明制备方法具有良好的可控性，通过在衬底上预设石墨烯薄膜，可诱导有机半导体材料的有序取向，提高了有机半导体材料的成膜质量，从而有效提高了器件的整体性能。制备而成的薄膜晶体管具有双层电极结构，电子注入效率高，可提高晶体管的饱和输出电流和整体性能。

本发明属于复合材料领域，具体涉及一种天青石蓝薄膜复合材料及其制备方法，包括以下步骤：将天青石蓝溶于混合溶剂中，得到制备薄膜的前驱体溶液；溶液注入电解池中，施加直流电压，将天青石蓝材料沉积到导电电极界面，获得一层均匀的纳米纤维状自组装薄膜；真空干燥后在该功能材料薄膜的表面镀上一层金属Al电极做顶电极，沉积的导电电极作为底电极，制备得到了天青石蓝薄膜复合材料。本发明利用材料本身的功能基团和外部的电场作用力，有效实现有机纳米纤维自组装薄膜的制备，有效提升材料本身的电学特性，诱导基于电信号响应的存储效应，在电存储器领域中具有可靠的应用前景。

本发明公开了一种基于钙钛矿材料的阻变存储器及其制备方法，涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器从上至下依次包括顶电极、卤化物钙钛矿层、二氧化钛薄膜层、底电极和玻璃基底，其中：所述卤化物钙钛矿材料中掺杂有Zr元素，所述的卤化物钙钛矿层材料的分子通式为ABX3，其中：A＝CH3NH3或Cs；B＝Pb；X＝Cl，Br或I。本发明仅通过在底电极与钙钛矿薄膜层之间添加一层二氧化钛薄膜，同时在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素，使本发明制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高，器件功耗显著减低。另外，本发明原料来源广泛，成本低，制备工艺简单，有利于产业化应用，具有良好的市场应用前景。

本专利主要是设计一类具有电荷存储性能的含有端基酯基的有机功能材料，该类材料的化学结构为，其中n=3-16，键合基团R=Si(OCH3)3,Si(OC2H5)3或者SiCl3。本发明提供该类材料形成电荷存储层的方法及该电荷存储层可应用在非易失性有机场效应晶体管存储器，展示出这类材料较好的存储性能。

本发明公开一种热电子晶体管的制备方法及用其制备的热电子晶体管、应用及应用的方法，涉及有机电子学技术领域。该热电子晶体管主要由发射电极、金属氧化物绝缘层、基电极、有机半导体以及收集电极等五部分组成。其中，发射电极、金属氧化物绝缘层以及基电极所组成的隧道结是一种有效的载流子能量调节器。有益效果：本发明提供了一种新型的热电子晶体管，通过器件结构的设计、每一层材料的选择、制备工艺的优化，提高了热电子晶体管的载流子能量分辨率，通过测试获得的IC‑hot‑VEB曲线监控有机电子器件中载流子的输运过程，精准地提取了器件中金属与有机半导体形成的势垒。