发明专利已授权

CNTs超表面与微通道集成的THz传感器及制作方法

Name: CNTs超表面与微通道集成的THz传感器及制作方法
Brand: 西安理工大学
SKU: 2020111473714
Availability: InStock

📄 申请号：CN202011147371.4 📄 发布日：2026/09/28

著录项目信息

申请日

2020-10-23

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01N21_41

IPC 分类号

G01N21_41 , G01N21_3581 , G01N21_3577 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

太赫兹光谱检测, 生物医学传感, 化学物质检测, 微流控分析, 食品安全检测

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摘要

本发明公开了一种CNTs超表面与微通道集成的THz传感器，包括自下而上依次贴合设置的衬底层、薄膜层和封装层三层结构，衬底层与薄膜层接触的一面开设有样品池，样品池内底部均匀刻蚀有周期性圆柱状结构，衬底层与薄膜层接触的一面边沿还开设有微流通道，薄膜层上均匀刻蚀有周期性圆孔状结构，周期性圆柱状结构与周期性圆孔状结构呈一一对应关系，封装层开设有测试窗口，本发明还公开了一种CNTs超表面与微通道集成的THz传感器的制作方法。本发明解决了现有技术中存在的单一CNTs薄膜对THz波的响应幅值较低，单一硅材料的品质因子(Q值)较低，且传感器因无样品池而导致溶液的分布不均匀，引起较高的测量误差的问题。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20221206

✅ 授权

20210305

?? 实质审查的生效：

20210212

📄 公开

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