摘要
本实用新型涉及半导体器件领域,尤其一种用于芯片器件的防静电装置,包括Si衬底、金属凸点和N阱区,Si衬底的内侧设置SCR管,SCR管的两侧设置隔离沟槽,隔离沟槽的外侧左端设置有第一TSV区,隔离沟槽的外侧右端设置有第二TSV区,第一TSV区的上端在Si衬底内安装设置有第一互连线,第一互连线连接所述第一TSV区的第一端面和所述SCR管,第二TSV区的下端在Si衬底内安装设置有第二互连线,第二互连线连接所述第二TSV区的第二端面和所述SCR管,本实用新型的有益效果是设置SCR管,通过SCR管实现系统的防静电功能,提高了芯片器件的抗静电能力,设置的TSV区提高了芯片器件的大电流通过能力。