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发明专利
已授权
一种提高溶致液晶制备SERS基底生长一致性的方法
📄 申请号:CN202211285945.3
📄 发布日:2026/04/27
著录项目信息
申请日
2022-10-20
公开号
CN115639183A
公开日
2023-01-24
申请人
苏州科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G01N21_65
IPC 分类号
G01N21_65
技术画像
所属领域
溶致液晶
溶致液晶
表面增强拉曼散射基底
纳米材料制备
应用场景
化学传感, 生物检测, 食品安全, 环境监测, 医疗诊断
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摘要
本发明是一种提高溶致液晶制备SERS基底生长一致性的方法,该方法包括以下步骤:使用ITO玻璃作为阳极板和阴极板制备液晶盒;由表面活性剂、油和水混合配制溶致液晶;将液晶盒完全浸没在溶致液晶中,在其两极通上直流电压进行电化学沉积反应,在阴极板表面形成分布均匀的花状结构,作为SERS基底;分离液晶盒的阳极板和阴极板,将长出SERS基底的阴极板进行清洗干燥。本发明使用ITO玻璃代替银板作为阳极,提升了电极表面平整度,使得两极板不同位置间距一致,进而使水相中的银离子有着相同的沉积速度,提升SERS基底表面材料生长均匀性。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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