发明专利已授权

微晶硅薄膜生长过程的可视化观测系统及测量方法

📄 申请号：CN201410359091.8 📄 发布日：2025/12/23

著录项目信息

申请日

2014-07-25

公开号

CN104122209B

公开日

2017-02-15

申请人

上海裕诗实业有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01N21_21

IPC 分类号

G01N21_21 , G01B11_06 ,

技术画像

所属领域

光学测量光学测量半导体工艺检测薄膜材料

应用场景

薄膜太阳能电池制造, 半导体集成电路制造, 薄膜工艺在线监测, 平板显示器制造, 光伏材料研发

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摘要

本发明公开了一种为实时观测微晶硅薄膜生长设计的可视化观测系统及测量方法，有效地改善了传统偏振光显微镜进行观测时分辨率较低的缺陷。一种微晶硅薄膜生长过程的可视化观测系统，包括光源、针孔、起偏器、1/4波片、汇聚透镜、分光棱镜、垂直物镜、样品、载物台、检偏器、CCD相机、计算机。本发明有效地改善了传统薄膜厚度检测方法所面临的扫描问题，实现了薄膜的连续动态检测，提高了检测的效率和精度，分辨率高。此外，本发明提供的观测系统结构简单，方法简便易行，便于推广。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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