发明专利已授权

基于二硫化钼的表面等离子体激元的纳米激光器

📄 申请号：CN201611204775.6 📄 发布日：2025/11/14

著录项目信息

申请日

2016-12-23

公开号

CN106785917B

公开日

2018-12-14

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01S5_34

IPC 分类号

H01S5_34 , G02B5_00 ,

技术画像

所属领域

纳米激光器纳米激光器表面等离子体激元二硫化钼材料

应用场景

光通信, 集成光子学, 生物传感, 光学存储, 微纳光学

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摘要

本发明公开了一种基于二硫化钼的表面等离子体激元的纳米激光器，包括：半导体纳米线、上SiO2层、MoS2层、下SiO2层、金属纳米线以及包裹金属纳米线的SiO2层，其中：上SiO2层和下SiO2层的横向中间位置均设置有空气槽，上SiO2层和下SiO2层之间被MoS2层间隔；半导体纳米线位于上SiO2层之上，并与上SiO2层横向中间位置的空气槽通过两个交点相连；金属纳米线位于下SiO2层下方，且包裹在SiO2层内部，金属纳米线与下SiO2层横向中间部分的空气槽通过一个交点相连。本发明的能量损耗小，可以在室温下实现，阈值更小，能合理平衡能量损耗与局域模限制，方便制造，尺寸更小，阈值更小，综合性能更优。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20181214

✅ 授权

20170623

?? 实质审查的生效：

20170531

📄 公开

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