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| 专利/申请号： | CN202011026213.3 | 专利名称： | 一种晶体高饱和度连续快速生长的控制方法 |
| 申请日： | 2020-09-25 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省无锡市蠡湖大道1800号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | C30B29/22 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2024-11-26 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN111945225B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 3 | 所属领域： | 晶体生长 光学晶体材料专利转让搜索 |
应用场景：半导体晶圆制造；光学元件生产；科研用高性能晶体制备
摘 要：本发明涉及一种晶体高饱和度连续快速生长的控制方法，属于生产过程控制领域。晶体高饱和度连续快速生长系统包括检测装置、执行装置、控制装置和晶体生长装置。载晶架旋转停止时通过晶体尺寸视觉测量装置在线检测生长晶体的尺寸，按规则调节培养罐内生长溶液温度设定值、溶液配制罐内生长溶液温度设定值、生长溶液输送泵的转速设定值。由于溶液配制罐温度大于培养罐生长温度，从而使溶液中溶解的溶质浓度高于生长温度下的平衡溶质浓度，保证进入培养罐的溶液处于过饱和状态。本发明方法提高了大尺寸晶体的生长速度。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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