专利名称：基于溶液浓度在线估计的晶体生长过程控制方法      申请号：2020110231402     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：过程 生长 晶体生长   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明涉及基于溶液浓度在线估计的晶体生长过程控制方法，属于生产过程控制领域。晶体生长系统包括生长装置、控制装置和基于视觉的尺寸检测装置。载晶架顺时针旋转、停止、逆时针旋转、停止，循环运行。载晶架旋转停止时通过视觉系统在线检测生长晶体的尺寸，根据生长晶体的尺寸在线估计生长溶液浓度从而计算生长溶液的过饱和度，根据过饱和度的要求按规则调节生长溶液降温速率，改变生长溶液的温度。本发明方法通过生长溶液的过饱和度变化来改变生长溶液的温度，既能够保证晶体能够有着稳定的快速的生长速度，又能保证晶体的质量。

专利名称：一种自激发拉曼复合功能晶体钨钼酸铋及其晶体生长方法      申请号：2020112512114     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：钨钼 生长 晶体生长   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明提供了一种自激发拉曼复合功能晶体钨钼酸铋，化学式为Bi2MoxW2‑xO9，x的取值范围在0～0.3内，属于单斜晶系，Pbcn(No.60)空间群。晶体生长方法，将Bi2O3、MoO3和WO3按照化学计量比配料，采用球磨机充分混合均匀后在压料机上压实，在300～600℃范围内进行固相烧结，合成钨钼酸铋多晶，与助熔剂按照摩尔比为1∶(0.2‑6)充分混合均匀，放入铂坩埚，升温使原料完全熔化，调温至750℃，下入铂籽晶杆并使之转动，程序降温使晶体自发结晶。钨钼酸铋晶体作为自激发拉曼晶体，可以用于激光器的制作；钨钼酸铋晶体作为闪烁晶体的应用。本晶体生长方法可以获得具有良好光学质量的钨钼酸铋厘米级单晶，方法简单，原料成本低，适合批量生产。

专利名称：一种LBO晶体生长籽晶传动机构      申请号：2023216104912     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：传动机构 L LED芯片 生长 晶体生长   相似专利 发布日：2023/10/16  
摘要： 本实用新型涉及LBO晶体生长技术领域，具体涉及一种LBO晶体生长籽晶传动机构。该传动机构包括底座、传动柱、升降件、液压缸、旋转件和籽晶杆；底座下端还设有支撑件；支撑件包括固定柱、移动轮和支撑腿；支撑腿可升降，以使得底座可移动、可固定；升降件包括主轴、支撑座、第一电机；主轴竖直分布地设置于传动柱内部，主轴与第一电机的输出轴相连；支撑座水平分布的设置于传动柱，与主轴保持螺纹传动；液压缸设置于支撑座，并可带动旋转件整体移动；籽晶杆设置于旋转件输出端，旋转件配置成可带动籽晶杆进行旋转运动，本实用新型结构设计合理，便于移动预设距离并达到位置固定的效果，提高了籽晶杆位置多方向、多维度传动的智能程度，更具有实用性。

专利名称：一种Inconel 625合金多层多道激光熔覆过程中晶体生长数值模拟方法      申请号：2020101306607     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：激光 过程 CO L LED芯片 生长 晶体生长   相似专利 发布日：2023/09/20  
摘要： 本发明公开了一种Inconel625合金多层多道激光熔覆过程晶体生长数值模拟方法，具体步骤如下：首先定义第一层第一道熔池形状并建立枝晶的形核与生长模型，然后建立溶质分配与扩散模型，再依次建立第一层第二道、第二层第一道、第二层第二道熔池的晶体生长模型，最后编写计算机程序，输入Inconel 625合金热物性参数以及各种激光熔覆工艺参数，导入模拟计算软件，进行计算即可得到模拟结果。本模型相比于实验研究更加的省时省力，节约资源，能够进行不同激光熔覆工艺参数下枝晶生长状况的模拟，为实际激光熔覆工艺的选择提供参考。

专利名称：增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法      申请号：201210411420X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：投料 硅 硅晶体 生长 晶体生长   相似专利 发布日：2023/09/20  
摘要： 本发明公开了一种增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法，具体步骤包括：选定所使用的坩埚，根据实验结果和温场模拟确定该坩埚内腔填粉区域的高温区域；分别确定两种不同粒径的碳化硅粉的数量，并将其区分为大粒径碳化硅粉源和小粒径碳化硅粉源；在坩埚内腔填装碳化硅粉源，将小粒径碳化硅粉源装入高温区域中，将大粒径碳化硅粉源置于非高温区域，并在碳化硅粉源中设置石墨柱；将坩埚装入晶体生长设备中进行粉源烧结和除杂；从坩埚中取出石墨柱；进行晶体生长操作。本发明解决了现有技术中源-衬距逐渐减小影响所制备晶锭厚度的问题。

专利名称：用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法      申请号：2012104114360     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：硅 硅晶体 生长 晶体生长   相似专利 发布日：2022/10/26  
摘要： 本发明公开了一种用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，具体步骤包括：制作石墨柱；将碳化硅粉源装入坩埚中，然后将石墨柱插入碳化硅粉源中，再将坩埚工装后置入生长设备中；进行碳化硅粉源烧结并除杂；从坩埚中取出石墨柱；进行晶体生长操作。本发明解决了现有技术中碳化硅粉源利用率不高、晶体平均生长速率低的问题。

专利名称：用于提高粉源利用率的碳化硅晶体生长坩埚      申请号：2012104139599     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：硅 硅晶体 生长 晶体生长   相似专利 发布日：2022/10/26  
摘要： 本发明公开了一种用于提高粉源利用率的碳化硅晶体生长坩埚，包括坩埚本体，坩埚本体内腔在水平方向上分成多个用于盛放碳化硅粉源的分装区域。本发明解决了现有技术中碳化硅粉源利用率不高、晶体平均生长速率低的问题。

专利名称：一种确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术     申请号：2015102275605     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：光学仪器 智能仪器仪表 微 微生物采样 生长 晶体生长   相似专利 发布日：2023/02/27