实用新型已授权

一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件

Name: 一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件
Brand: 南京信息工程大学
SKU: 2024210200681
Availability: InStock

📄 申请号：CN202421020068.1 📄 发布日：2026/09/21

著录项目信息

申请日

2024-05-11

公开号

CN222582863U

公开日

2025-03-07

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H10D30_47

IPC 分类号

H10D30_47 , H10D62_85 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

5G通信, 射频功率放大, 雷达系统, 电源转换, 新能源汽车

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摘要

本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，包括衬底层，所述衬底层的上方连接有缓冲层，所述缓冲层上方连接有AlGaN背势垒层，所述AlGaN背势垒层的上方连接有GaN沟道层。本发明与传统固定组分势垒器件相比，GaN组分渐变复合势垒器件在AlGaN和GaN材料之间的线性错位和晶格散射更小，能够提升器件的电学性能，由于GaN的肖特基势垒较低，传统固定组分势垒器件栅极泄漏电流较大，本发明的沟道从GaN组分渐变到AlGaN，能够产生更高的势垒高度并形成浓度更高、范围更宽的三维电子气，使器件具有更好的跨导平坦度，提高器件的线性度，带来更好的输出性能表现。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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