一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件

著 录 项 目：

应用场景：高频高功率通信设备；电力电子转换系统；射频能量应用

摘     要：本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，包括衬底层，所述衬底层的上方连接有缓冲层，所述缓冲层上方连接有AlGaN背势垒层，所述AlGaN背势垒层的上方连接有GaN沟道层。本发明与传统固定组分势垒器件相比，GaN组分渐变复合势垒器件在AlGaN和GaN材料之间的线性错位和晶格散射更小，能够提升器件的电学性能，由于GaN的肖特基势垒较低，传统固定组分势垒器件栅极泄漏电流较大，本发明的沟道从GaN组分渐变到AlGaN，能够产生更高的势垒高度并形成浓度更高、范围更宽的三维电子气，使器件具有更好的跨导平坦度，提高器件的线性度，带来更好的输出性能表现。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

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  法律信息

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