实用新型已授权

一种毫米波GaN功率放大器及其散热结构

Name: 一种毫米波GaN功率放大器及其散热结构
Brand: 南京信息工程大学
SKU: 2024211859183
Availability: InStock

📄 申请号：CN202421185918.3 📄 发布日：2026/04/17

著录项目信息

申请日

2024-05-28

公开号

CN222582396U

公开日

2025-03-07

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H03F1_52

IPC 分类号

H03F1_52 , H03F3_20 , H03F1_30 ,

技术画像

所属领域

功率放大器功率放大器氮化镓半导体器件散热结构

应用场景

5G通信, 毫米波通信, 雷达系统, 卫星通信, 射频前端

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本实用新型属于功率放大器领域，具体为一种毫米波GaN功率放大器及其散热结构，包括功率放大电路，其特征在于，所述功率放大电路的输入端连接有瓷件输入匹配电路，输出端连接有瓷件输出匹配电路，所述输出匹配电路的输出端连接有波导模块，且波导模块上连接有波导同轴转换头；所述功率放大电路的漏极输入端耦接有保护电路。本实用新型保护电路通过逻辑控制电路，以栅极电压和保护电路内部的使能信号的稳定输出状态作为触发信号，去控制漏极电压的开启，保护电路能够转换生成射频功率放大器栅极所需要的栅极电压，起到一个对功率放大器件的保护作用，不会因为上电时序错误以及上电过程中失误操作所给过高的电压造成功率放大电路及器件的损坏。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN222582396U

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件

当前第 / 件

一种5G通信GaN射频功率放大器及其散热机构

同领域国内专利 · IPC: (H03F1_52)

H03F1_00 H03F1_02 H03F1_07 H03F1_26 H03F1_30 H03F1_32 H03F1_34 H03F1_42 H03F1_52 H03F1_56 覆盖10个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：91 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 2657件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)