发明专利已授权

存储器的结构及其形成方法

📄 申请号：CN201910744048.6 📄 发布日：2025/09/08

著录项目信息

申请日

2019-08-13

公开号

CN110429084B

公开日

2022-04-26

申请人

淮安西德工业设计有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_112

IPC 分类号

H01L27_112

技术画像

所属领域

半导体存储器件半导体存储器件存储器制造工艺集成电路

应用场景

数据中心, 消费电子, 云计算, 嵌入式系统

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摘要

一种存储器及其形成方法，结构包括:衬底，所述衬底内具有相邻的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和第二阱区的掺杂类型相反；位于第一阱区和第二阱区内的第一沟槽，且所述第一沟槽自第一阱区延伸至第二阱区；位于所述第一沟槽内的字线栅极结构；位于所述字线栅极结构表面的第一隔离层，所述第一隔离层填充满所述第一沟槽；位于第一阱区内的第二隔离层；位于第一阱区内的源线掺杂区，所述源线掺杂区位于所述第一隔离层和第二隔离层之间；位于第二阱区表面的位线栅极结构。所述存储器的占用面积得到改善。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

图像传感器的形成方法

当前第 / 件

图像传感器及其制作方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L27_112)

H01L27_01 H01L27_02 H01L27_04 H01L27_06 H01L27_07 H01L27_108 H01L27_112 H01L27_11507 H01L27_11517 H01L27_12 H01L27_144 H01L27_146 H01L27_15 H01L27_30 H01L27_32 覆盖15个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：112 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

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