发明专利 已授权

隔离结构及其形成方法、图像传感器及其制造方法

📄 申请号:CN201910242501.3 📄 发布日:2025/09/08

著录项目信息

申请日
2019-03-28
公开号
CN109950269B
公开日
2021-08-10
申请人
淮安西德工业设计有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

CMOS图像传感器, 半导体器件, 消费电子, 安防监控, 智能驾驶

摘要

本发明技术方案公开了一种用于图像传感器的隔离结构及其形成方法、图像传感器及其制造方法,所述图像传感器包括第一像素区和第二像素区,所述隔离结构包括:沟槽隔离结构,位于半导体衬底内的第一像素区和第二像素区之间;PNP型隔离区,位于所述沟槽隔离结构底部与所述半导体衬底底部之间,包括与所述第一像素区邻接的第一P型区、与所述第二像素区邻接的第二P型区、以及位于所述第一P型区与第二P型区之间的N型区。所述隔离结构能够有效消除像素区的光电二极管的溢出电荷对相邻像素区的影响。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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