发明专利已授权

静电放电保护器件及其形成方法、静电放电保护结构

📄 申请号：CN201910389299.7 📄 发布日：2025/09/08

著录项目信息

申请日

2019-05-10

公开号

CN110137170B

公开日

2021-02-19

申请人

淮安西德工业设计有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_02

IPC 分类号

H01L27_02

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件静电放电保护集成电路

应用场景

集成电路, 电子设备, 半导体制造, 静电防护

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摘要

本发明技术方案公开了一种静电放电保护器件及其形成方法、静电放电保护结构，所述静电放电保护器件包括：形成于半导体基底内的源区和漏区，其中，所述漏区包括：至少两个第一掺杂区、位于两个第一掺杂区之间的第二掺杂区以及位于第一掺杂区和第二掺杂区之间的阱区，所述第一掺杂区、阱区和第二掺杂区沿沟道长度方向排布，所述第一掺杂区和第二掺杂区掺杂的离子类型相反，所述第二掺杂区和阱区掺杂的离子类型相同。本发明技术方案减小了器件的漏电流，从而降低电路的功耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

图像传感器及其形成方法

当前第 / 件

图像传感器及其形成方法、工作方法

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