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| 专利/申请号： | CN202322356106.2 | 专利名称： | 一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件 |
| 申请日： | 2023-08-31 | 申请/专利权人 | 盐城师范学院 |
| 专利类型： | 实用新型 | 地址： | 江苏省盐城市盐城经济技术开发区希望大道南路2号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L33/06 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2024-06-28 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN221239641U | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 28 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本实用新型公开了一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件，包括N型半导体、图形化的P型半导体和量子阱。该基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件，包括N型半导体，其特征在于：所述N型半导体上设有量子阱，量子阱上连接有小于特定载流子浓度半导体或绝缘图形化结构，量子阱的上方设有与其相适配的图形化的P型半导体，能够增加LED器件中的P型载流子浓度，增加复合效率，带有小于特定载流子浓度半导体或绝缘图形化结构的量子阱能够降低表面辐射复合，减少量子阱内部光源的全反射，降低电热损失，提高电光转换效率，提高出光效率。此种方法能兼容现有的LED芯片或灯珠的工艺方法，该方法简单可靠，具有极大的应用市场。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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| 2023223561062 | 【实用新型】一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件 | 2025/08/13 |
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