发明专利已授权

一种超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料制备方法

📄 申请号：CN201910468004.5 📄 发布日：2026/07/17

著录项目信息

申请日

2019-05-31

公开号

CN110104653A

公开日

2019-08-09

申请人

承德石油高等专科学校

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01B33_021

IPC 分类号

C01B33_021 , C09K11_77 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料制备纳米荧光材料稀土掺杂材料发光材料纳米材料材料制备纳米材料制备

应用场景

LED照明, 显示器件, 生物成像, 荧光标记, 防伪材料

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摘要

本发明提供了一种新型超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料的制备方法，包括如下步骤：S1、采用单晶硅片为衬底，用丙酮和甲醇混合液超声清洗，用氨水和双氧水混合溶液超声清洗，再用稀释的HF超声清洗，用去离子水清洗、烘干，备用；S2、热蒸发金属Al和Sc，在S1备用的硅片衬底上形成3-5nm的金属Al和Sc混合金属膜层，作为生长Si纳米线的金属催化剂；S3、在氩气的保护下，在单晶Si衬底表面生长出Si纳米线；S4、以稀土Eu2O3、Y2O3和La2O3粉末为杂质源，按照比例混合均匀并涂覆在所述步骤S3中形成的Si纳米线的表面；S5、对步骤S4中生成的Si纳米线进行Eu3+、Y3+和La+掺杂，制备荧光纳米材料SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20221101

✅ 授权

20190903

?? 实质审查的生效：

20190809

📄 公开

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