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摘 要:本发明涉及一种瞬态电压抑制器及其制作方法。所述瞬态电压抑制器包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的P阱、形成于所述P阱上间隔设置的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽内的N型掺杂区域及N型多晶硅、形成于所述第一沟槽中的N型多晶硅上的第一输入电极、形成于所述第二沟槽中的N型多晶硅上的第二输入电极、及形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的P阱上的输出电极,所述P阱与第一沟槽中的N型掺杂区域及所述N型多晶硅构成第一齐纳二极管,所述P阱与第二沟槽中的N型掺杂区域及所述N型多晶硅构成第二齐纳二极管。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710564685.6 | 专利名称: | 瞬态电压抑制器及其制作方法 |
申请日: | 2017-07-12 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/05/07 | 授权 | |
2019/05/03 | 专利申请权的转移 | 登记生效日: 2019.04.12 申请人由王凯变更为新昌县佳良制冷配件厂 地址由330000 江西省南昌市青山湖区北京东路427号10栋1单元6号附1号变更为312500 浙江省绍兴市新昌县七星街道五龙岙村骑龙新村583号 |
2017/11/28 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 27/02 专利申请号: 201710564685.6 申请日: 2017.07.12 |
2017/11/03 | 公开 |