发明专利已授权

瞬态电压抑制器及其制作方法

📄 申请号：CN201710564685.6 📄 发布日：2026/07/06

著录项目信息

申请日

2017-07-12

公开号

CN107316863B

公开日

2019-05-07

申请人

林郁君

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_02

IPC 分类号

H01L27_02 , H01L27_08 , H01L29_06 , H01L29_866 , H01L21_265 , H01L21_266 , H01L21_8222 , H01L21_329 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件半导体制造工艺瞬态电压抑制技术

应用场景

电路保护, 消费电子, 通信设备, 汽车电子, 工业控制

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摘要

本发明涉及一种瞬态电压抑制器及其制作方法。所述瞬态电压抑制器包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的P阱、形成于所述P阱上间隔设置的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽内的N型掺杂区域及N型多晶硅、形成于所述第一沟槽中的N型多晶硅上的第一输入电极、形成于所述第二沟槽中的N型多晶硅上的第二输入电极、及形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的P阱上的输出电极，所述P阱与第一沟槽中的N型掺杂区域及所述N型多晶硅构成第一齐纳二极管，所述P阱与第二沟槽中的N型掺杂区域及所述N型多晶硅构成第二齐纳二极管。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN107316863B

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240903

?? 专利权的转移：

20220401

?? 专利权的转移：

20190507

✅ 授权

20190503

⏳ 专利申请权的转移：

20171128

?? 实质审查的生效：

20171103

📄 公开

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