发明专利已授权

一种基于分数阶忆阻器阵列的加权求和电路及其使用方法

📄 申请号：CN202110670536.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-06-17

公开号

CN113487011B

公开日

2024-11-26

申请人

武汉科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06N3_049

IPC 分类号

G06N3_049 , G06N3_063 ,

技术画像

所属领域

忆阻器器件忆阻器器件模拟计算电路神经形态计算

应用场景

人工智能加速计算, 神经网络推理, 边缘计算, 信号处理, 类脑计算

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摘要

本发明涉及一种基于分数阶忆阻器阵列的加权求和电路及其使用方法。其技术方案是：第i行第j列端子Aij与第i行第j列分数阶忆阻器(102)的端子RM2连接(1≤i≤M；1≤j≤N)，第i行第j列的阶次控制信号Uij加在第i行第j列端子Aij与GND之间，以调整该分数阶忆阻器(102)阶次；第i行电压输入信号端子ri与第i行的N个分数阶忆阻器(102)的端子RM0分别连接；第j列电压输入信号端子cj与第j列的M个分数阶忆阻器(102)的端子RM1和第j个电流采样电路(103)的输入端Ij分别对应连接；第i行正电压脉冲信号Uri加在第i行端子ri与GND间，第j列正电压脉冲信号Ucj加在端子cj与GND间，用于调整第i行第j列分数阶忆阻器(102)的阻值。本发明运算时间短，效率高。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20241126

✅ 授权

20211026

?? 实质审查的生效：

20211008

📄 公开

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