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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201811391720.X | 专利名称: | 一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法及芯片 |
申请日: | 2018-11-21 | 申请/专利权人 | 山东农业工程学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市历城区农干院路866号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号: | H01L21/331 分类检索 |
公开/公告日: | 2023-03-28 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN109411348B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
浏览量: | 58 | 所属领域: | 集成电路专利转让搜索 |
摘 要:本公开提供了一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法及芯片。其中,一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法,包括:网格化设计横向版图,并设置基区、发射区和键合区相关参数;其中,基区按照电子扩散浓度划分为深基区和淡基区;根据芯片预设参数性能要求,设计纵向结构,得到集电结结深和发射结结深;依次进行以下工艺制程:一次氧化、深基区光刻、深基区扩散、二次氧化、淡基区光刻、淡基区扩散、三次氧化、发射区光刻、发射区扩散、四次氧化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻和合金工艺,最终得到具备预设抗辐射性能参数的大功率晶体管芯片。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2023/03/28 | 授权 | |
2019/03/26 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/331 专利申请号: 201811391720.X 申请日: 2018.11.21 |
2019/03/01 | 公开 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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