一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法及芯片

著 录 项 目：

摘     要：本公开提供了一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法及芯片。其中，一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法，包括：网格化设计横向版图，并设置基区、发射区和键合区相关参数；其中，基区按照电子扩散浓度划分为深基区和淡基区；根据芯片预设参数性能要求，设计纵向结构，得到集电结结深和发射结结深；依次进行以下工艺制程：一次氧化、深基区光刻、深基区扩散、二次氧化、淡基区光刻、淡基区扩散、三次氧化、发射区光刻、发射区扩散、四次氧化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻和合金工艺，最终得到具备预设抗辐射性能参数的大功率晶体管芯片。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注