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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202311105266.8 | 专利名称: | 一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2-xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法 |
申请日: | 2023-08-30 | 申请/专利权人 | 齐鲁工业大学(山东省科学院) |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市西部新城大学科技园 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B1/10分类检索 半导体专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2024-09-10 | 转让价格: | 面议 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN117127245B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明提供一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法,属于晶体生长和固溶体制备技术领域。将氧化锌或者硝酸锌等不引入杂质元素的掺杂剂掺入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12前驱体,晶体生长时Zn进入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12的八面体空隙,同时抑制Na源和P源的挥发损失,提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相的含量。本发明通过Zn取代Zr进入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12的八面体空隙,同时抑制Na源和P源的挥发损失,可显著减少ZrO2和/或Na2ZrSi2O7等晶相,为Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度提高及其钠离子电导率提高提供了理论基础和技术支撑。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |