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摘 要:本发明公开了一种场发射阴极及其制备方法和应用。本发明场发射阴极包括导电基板和依次形成于所述导电基板表面的石墨烯层和二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层。本发明场发射阴极制备方法包括在导电基板表面形成石墨烯层的步骤和在石墨烯层表面电泳形成二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层的步骤。本发明场发射阴极的开启电场低,发射电流大;发射电流的稳定性高。其制备方法保证了场发射阴极的性能稳定,降低了其生产成本。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510979889.7 | 专利名称: | 场发射阴极及其制备方法和应用 |
申请日: | 2015-12-23 | 申请/专利权人 | 深圳先进技术研究院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01J1/304 半导体 |
公开/公告日: | 2016-05-04 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN105551909A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |