发明专利已授权

场发射阴极及其制备方法和应用

Name: 场发射阴极及其制备方法和应用
Brand: 深圳先进技术研究院
SKU: 2015109798897
Availability: InStock

📄 申请号：CN201510979889.7 📄 发布日：2024/10/31

著录项目信息

申请日

2015-12-23

公开号

CN105551909A

公开日

2016-05-04

申请人

深圳先进技术研究院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01J1_304

IPC 分类号

H01J1_304 , H01J9_02 ,

技术画像

所属领域

半导体半导体

应用场景

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摘要

本发明公开了一种场发射阴极及其制备方法和应用。本发明场发射阴极包括导电基板和依次形成于所述导电基板表面的石墨烯层和二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层。本发明场发射阴极制备方法包括在导电基板表面形成石墨烯层的步骤和在石墨烯层表面电泳形成二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层的步骤。本发明场发射阴极的开启电场低，发射电流大；发射电流的稳定性高。其制备方法保证了场发射阴极的性能稳定，降低了其生产成本。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种家用水循环装置

当前第 / 件

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