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摘 要:一种场发射阴极的制造方法,所述方法包括:提供导电基板;在所述导电基板上涂覆石墨烯纳米片;在所述石墨烯纳米片表面沉积六方氮化硼纳米片。通过在导电基板上涂覆石墨烯纳米片,在所述石墨烯纳米片的表面沉积六方氮化硼纳米片,使得六方氮化硼纳米片与石墨烯纳米片之间形成稳定的复合纳米结构,降低了石墨烯的功函数,增加了石墨烯表面的局域电场,从而明显降低阴极的开启电场,提高其发射电流。并且,六方氮化硼纳米片部分阻止了石墨烯受到阳离子的轰击,提高了阴极的发射稳定性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201611124177.8 | 专利名称: | 一种场发射冷阴极及其制造方法 |
申请日: | 2016-12-08 | 申请/专利权人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01J19/24搜分类 报警器搜索 |
公开/公告日: | 2019-05-07 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106653520B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |