发明专利已授权

一种基于氧化石墨烯/石墨烯-ZnO微结构的场发射调控结构和方法

📄 申请号：CN201710851247.8 📄 发布日：2026/07/15

著录项目信息

申请日

2017-09-20

公开号

CN107731637B

公开日

2019-03-29

申请人

西安石油大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01J1_304

IPC 分类号

H01J1_304 , H01J9_02 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

场发射材料场发射材料石墨烯复合材料氧化锌微结构

应用场景

场发射显示器, 真空电子器件, 电子显微镜电子源, X射线源, 场发射传感器

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摘要

本发明一种基于氧化石墨烯/石墨烯‑ZnO微结构的场发射调控结构和方法，能够对微型发射区域的场发射进行精细控制，同时同一发射体顶端能够实现不同电流密度和强度的场发射。所述的场发射调控结构包括硅基底，垂直排列生长在硅基底上的ZnO纳米阵列，包覆在ZnO纳米阵列顶端的表面发射层，表面发射层两侧设置的金电极，表面发射层上方设置的外加电极；表面发射层由结构呈一体设置的氧化石墨烯区块和石墨烯区块组成；氧化石墨烯区块在横向和/或纵向均间隔设置，剩余区域均由石墨烯区块填充；氧化石墨烯区块与不同厚度和不同还原程度的石墨烯区块相间形成微型发射区域；金电极上连接内驱电压，外加电极上连接外加电压，硅基底连接地线。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190329

✅ 授权

20180320

?? 实质审查的生效：

20180223

📄 公开

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