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基于氧化石墨烯/石墨烯微型发射区域的冷阴极结构及其制备方法

Name: 基于氧化石墨烯/石墨烯微型发射区域的冷阴极结构及其制备方法
Brand: 西安石油大学
SKU: 2017108554019
Availability: InStock

📄 申请号：CN201710855401.9 📄 发布日：2026/07/15

著录项目信息

申请日

2017-09-20

公开号

CN107731638A

公开日

2018-02-23

申请人

西安石油大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01J1_304

IPC 分类号

H01J1_304 , H01J9_02 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

氧化石墨烯场发射器件石墨烯材料纳米材料阴极结构氧化石墨烯

应用场景

场发射显示器, 真空微电子器件, 电子源, 平板显示, X射线管

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摘要

本发明提供一种基于氧化石墨烯/石墨烯微型发射区域的冷阴极结构及其制备方法。所述的冷阴极结构包括硅基底，垂直排列生长在硅基底上的ZnO纳米阵列，以及包覆在ZnO纳米阵列顶端的表面发射层；表面发射层由结构呈一体设置的氧化石墨烯区块和石墨烯区块组成；氧化石墨烯区块在横向和纵向均间隔设置，剩余区域均由石墨烯区块填充；氧化石墨烯区块与不同厚度和不同还原程度的石墨烯区块相间形成微型发射区域。所述方法在一维ZnO纳米阵列顶端采用电泳沉积技术制备GO层，利用磁控溅射氧化锌能将GO还原成石墨烯，并利用盐酸刻蚀锌的过程中将石墨烯的层数减薄，通过多次的掩膜溅射及刻蚀，在ZnO纳米阵列顶端得到GO/G相间微型区域。

常见问题

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是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN107731638A

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190329

✅ 授权

20180320

?? 实质审查的生效：

20180223

📄 公开

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：95 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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