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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201710855401.9 | 专利名称: | 基于氧化石墨烯/石墨烯微型发射区域的冷阴极结构及其制备方法 |
申请日: | 2017-09-20 | 申请/专利权人 | 西安石油大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市高新电子二路东段18号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01J1/304分类检索 纳米材料专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2018-02-23 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN107731638A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明提供一种基于氧化石墨烯/石墨烯微型发射区域的冷阴极结构及其制备方法。所述的冷阴极结构包括硅基底,垂直排列生长在硅基底上的ZnO纳米阵列,以及包覆在ZnO纳米阵列顶端的表面发射层;表面发射层由结构呈一体设置的氧化石墨烯区块和石墨烯区块组成;氧化石墨烯区块在横向和纵向均间隔设置,剩余区域均由石墨烯区块填充;氧化石墨烯区块与不同厚度和不同还原程度的石墨烯区块相间形成微型发射区域。所述方法在一维ZnO纳米阵列顶端采用电泳沉积技术制备GO层,利用磁控溅射氧化锌能将GO还原成石墨烯,并利用盐酸刻蚀锌的过程中将石墨烯的层数减薄,通过多次的掩膜溅射及刻蚀,在ZnO纳米阵列顶端得到GO/G相间微型区域。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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