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摘 要:本发明提供了一种场发射阴极的制备方法,包括以下步骤:提供导电基板;配置六方氮化硼纳米片分散液,在所述导电基板上沉积所述六方氮化硼纳米片分散液,干燥后形成六方氮化硼纳米片薄膜,得到含有六方氮化硼纳米片薄膜的基板;提供阳极,以所述含有六方氮化硼纳米片薄膜的基板作为阴极,并将所述阴极接地处理;将所述阴极和所述阳极置于真空环境中,对所述阳极施加电压逐渐升高的正向电压,直至发生打火现象,得到六方氮化硼纳米片场发射阴极。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911258955.6 | 专利名称: | 场发射阴极及其制备方法 |
申请日: | 2019-12-10 | 申请/专利权人 | 深圳先进技术研究院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01J1/304搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2022-07-05 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111081504B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |