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摘 要:本发明公开了硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法,该光子器件包括硅衬底层,在其上形成外延缓冲层,在外延缓冲层上形成P‑N结,p‑GaN层上设置有p‑电极,在n‑GaN层上表面通过刻蚀形成阶梯状台面,上台面与InGaN/GaN量子阱的底面连接,下台面上设置有n‑电极,n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层、p‑电极和n‑电极构成LED器件,LED器件上集成有光波导,在光波导上有支撑结构,在n‑GaN层下方设置有与p‑电极、n‑电极、耦合区和光波导的位置正对且贯穿硅衬底层、外延缓冲层的空腔。本发明器件将光源和光波导集成在同一片晶圆上,使LED发出的光沿着光波导传输,解决光在光波导内传输难题的同时,采用直波导耦合互连的方式,实现了片内不同光子器件之间的互连。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710213973.7 | 专利名称: | 硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法 |
申请日: | 2017-04-01 | 申请/专利权人 | 南京邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/15搜分类 电器 波导搜索 |
公开/公告日: | 2019-10-18 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107104119B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |