发明专利已授权

一种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉

📄 申请号：CN202011138223.6 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2020-10-22

公开号

CN112064113B

公开日

2021-05-25

申请人

新余学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_06

IPC 分类号

C30B29_06 , C30B28_06 ,

技术画像

所属领域

晶体生长设备晶体生长设备热处理设备多晶硅制备

应用场景

光伏材料制造, 多晶硅铸锭, 半导体晶锭制备, 硅材料提纯

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摘要

本发明公开了一种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉，属于多晶硅铸锭技术领域，其技术方案要点是，包括配套设置的炉体和炉盖，炉体的内部通过拉锭机构支撑设置有石墨坩埚，石墨坩埚用于盛装多晶硅原料、高温熔化后的硅液以及借助定向凝固法凝固成型的多晶硅锭，多晶硅锭由分层凝固在一起的多晶硅层和杂质层构成，炉体的内部还设置有发热机构，炉盖上从外界通入有进气管，进气管对准石墨坩埚的开口，炉盖为可升降结构，其借助升降机构来进行升降活动，且其内侧设有取锭机构。该种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉同时兼具多种功能，完善了传统多晶硅铸锭炉的夹取、定位功能，使用起来更加便捷，并且使用期间也无需再进行额外的设备投入。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种多晶硅锭杂质层截除装置

当前第 / 件

一种基于多频等离子技术的印染废水处理装置及方法

同领域国内专利 · IPC: (C30B29_06)

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：77 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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