本发明涉及一种GOA电路、GOA单元及驱动方法、阵列基板，属于显示技术领域。该GOA电路包括双边驱动的N级级联设置的GOA单元，第n级GOA单元包括11个薄膜晶体管以及两个自举电容。在GOA电路中通过在第一薄膜晶体管漏级与第一节点之间设置第七薄膜晶体管，抬高第三节点电位，使第一薄膜晶体管、第七薄膜晶体管完全关闭，抑制第一节点漏电；通过在第六薄膜晶体管与启动信号之间增加第二电容，利用第二电容耦合效应，使第二节点电位下拉到低于恒压低电平信号电位，使第九薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管完全关闭，抑制输出信号漏电。双边驱动GOA电路单侧只需要两根时钟信号线，两根恒压电平信号线，有利于GOA电路窄边框化。
📄 2022113023167
📂 G09G3_20
👤 重庆邮电大学
📅 2022-10-24
本发明涉及一种像素驱动电路及像素驱动方法，属于电子电路领域。该像素驱动电路工作在扫描阶段和驱动阶段时，像素驱动电路通路中使用氧化物薄膜晶体管，减少电路工作过程中电路中漏电流；该像素驱动电路通过扫描阶段完成驱动薄膜晶体管源极电压的初始化和数据电压的输入，从而补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的变化和有机发光二极管阈值电压的衰减对像素电路产生的影响；通过信号控制使得有机发光二极管仅在发光阶段有电流经过，避免了LTPO屏幕的闪烁现象，降低了功耗；该像素驱动电路将电路的工作周期分为扫描阶段和驱动阶段，该电路的扫描阶段和驱动阶段互相无影响，使得该像素驱动电路适用于高刷新率LTPO显示面板。
📄 202210492091X
📂 G09G3_3225
👤 重庆邮电大学
📅 2022-05-07
本发明关于一种金属氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管。其中，金属氧化物薄膜的制备方法包括：在设定相对湿度的制备环境中，使金属氧化物前驱液在基片上形成金属氧化物湿膜，并对金属氧化物湿膜进行预退火处理得到预固化金属氧化物薄膜；对预固化金属氧化物薄膜进行等离子处理得到等离子激活的金属氧化物薄膜；对等离子激活的金属氧化物薄膜进行后退火处理得到金属氧化物薄膜。本发明通过制备环境相对湿度与预退火处理温度的相互配合，实现对预固化金属氧化物薄膜毛细流动性和疏松程度的调控，从而在保证甚至进一步扩大等离子激活工艺可调谐范围以及等离子处理对预固化薄膜低温激活效果的基础上，提高金属氧化物薄膜的抗等离子刻蚀损伤能力。
📄 2022108730401
📂 H01L21_34
👤 西安工业大学
📅 2022-07-21
本发明涉及一种蛋清薄膜及可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备方法。蛋清薄膜的制备包括蛋清前驱液的制备；基片清洗与表面活化；蛋清薄膜的制备。可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备包括醇基高k氧化物前驱液与水基TMOS前驱液的制备；蛋清薄膜的表面活化；醇基高k氧化物薄膜的制备；醇基高k氧化物薄膜的表面活化；水基TMOS薄膜的制备；源、漏电极的制备。本发明一方面获得大面积均匀的高k蛋清薄膜，另一方面借助醇基高k氧化物薄膜提高蛋清薄膜与水基TMOS薄膜间的制备兼容性，实现基于蛋清薄膜‑高k氧化物薄膜‑TMOS薄膜的全溶液可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备，该薄膜晶体管展现出生物兼容、可降解、低成本、低温制备，低压驱动、低功耗的特点。
📄 202211039449X
📂 C08J7_00
👤 西安工业大学
📅 2022-08-29
本发明属于晶体管制备技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管制备方法，将溶液法和热退火相结合制备超薄Tm2O3介电层和高迁移率的In2O3半导体沟道层，进而制备高性能的TFT，与现有技术相比，具有以下优点：一是Tm2O3高k栅介电层的物理厚度小于15nm，低漏电流的特性能够很好地满足微电子集成化对于器件尺寸的需求；二是Tm2O3薄膜为非晶态，可大面积均匀制备介电层；三是采用等离子体清洗衬底表面，能够增加旋涂时Tm2O3前驱体溶液在衬底的附着力，使得旋涂表面更加均一平整；四是薄膜晶体管中的半导体沟道层和高k介电层均是利用溶液法制备的，成本低廉，制备过程不需要高真空环境，在空气中即可进行。
📄 2021103006692
📂 H01L21_02
👤 青岛科技大学
📅 2021-03-22
本发明属于传感器技术领域。一种石墨烯增强薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：在衬底上制备石墨烯薄膜；石墨烯薄膜图形化；在图形化后的石墨烯薄膜表面制备底电极；在底电极和石墨烯薄膜表面生长有机半导体材料，形成功能层；在功能层表面采用电子束蒸镀制备顶电极；在顶电极和功能层表面旋涂PMMA薄膜，形成保护层。本发明制备方法具有良好的可控性，通过在衬底上预设石墨烯薄膜，可诱导有机半导体材料的有序取向，提高了有机半导体材料的成膜质量，从而有效提高了器件的整体性能。制备而成的薄膜晶体管具有双层电极结构，电子注入效率高，可提高晶体管的饱和输出电流和整体性能。
📄 2020114731811
📂 H01L51_05
👤 惠州学院
📅 2020-12-15
一种实现3D成像的显示屏，包括玻璃层、薄膜晶体管TFT层、背光层、基体层、感应层及驱动模块。基体层设置于玻璃层及TFT层之间，基体层上设置有多个三色发光二极管组件。玻璃层上设置有多个凸透镜单元，每一凸透镜用于对应至每一三色发光二极管组件。驱动模块用于驱动并控制该多个三色发光二极管组件发射出的光线在不同空间层聚集并形成多个光聚集点。感应层设置于玻璃层的上方，用于侦测每一光聚集点到感应层的距离。驱动模块还根据每一光聚集点到感应层的距离来控制每一凸透镜单元对每一光聚集点进行焦距变换。上述实现3D成像的显示屏使得使用者无需通过专用3D眼镜就能获得3D图像信息。
📄 2017101726739
📂 H04N13_322
👤 富泰华工业(深圳)有限公司; 鸿海精密工业股份有限公司
📅 2017-03-22
本发明公开一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法，包括步骤：1：配置得到蛋白质溶液；步骤2：将蛋白质溶液滴于平整的聚对苯二甲酸乙二酯塑料板上，待溶剂挥发后，干燥脱板获得可降解的圆形蛋白质基底薄膜；步骤3：在所述蛋白质基底薄膜上覆盖第一掩膜板，蒸镀铝薄膜，形成栅电极；步骤4：在所述栅电极上覆盖第二掩膜板，溅射沉积HfO2绝缘层薄膜；其中，靶溅射功率为140～160W，温度为85～95℃，压力7.5～8.5mtorr，Ar/O2为8.5:1～9.5:1，沉积时间为1.5～2.5h，HfO2绝缘层薄膜厚度为190～210nm；步骤5：在所述绝缘层薄膜上覆盖第三掩膜板，溅射沉积锡掺杂氧化锌有源层薄膜；步骤6：在所述有源层薄膜上覆盖第四掩膜板，蒸镀源极和漏极后，获得可降解薄膜晶体管。
📄 2019106706285
📂 H01L21_34
👤 成都权翼网络科技有限公司
📅 2019-07-24
本发明公开了一种光晶体管集成传感核心的无光栅量子点光谱探测器，包括基底、栅电极、栅绝缘层、源电极、P型有源层、I型量子点感光层、N型半导体层、漏电极，其中不同波段的量子点可用于为不同像素的晶体管探测器。利用栅极作为行扫描线，通过源漏极作为信号读取线路读取光谱信号，并利用与背景光电信号的差值实现被测物的光谱测量。本发明解决了传统光谱探测器光学分光组件体积过大，光电信号读取分离以及探测波段局限等系列难题，实现了利用量子点的窄带宽光电响应特点以及薄膜晶体管(TFT)光电集成度高的优势，制造出不需要光栅分光的量子点晶体管型的光谱探测器。
📄 2021102425580
📂 H01L31_113
👤 良储科技(昆山)有限责任公司
📅 2021-03-04
本发明涉及电子材料制备的技术领域，提供了一种石墨烯/黑磷烯复合薄膜晶体管及制备方法。该复合薄膜晶体管是通过先制备氮掺杂石墨烯及氯化重氮苯改性黑磷烯，然后将二者加入去离子水中形成分散液，再将分散液采用交流电泳法在高掺杂硅基片上的源极和漏极之间的沟道中进行沉积，经自然晾干而制得。本发明制得的石墨烯/黑磷烯复合薄膜晶体管结合了石墨烯载流子迁移率高、黑磷烯开关电流比大的优点，并且稳定性好。
📄 2021102193583
📂 H01L29_786
👤 成都市水泷头化工科技有限公司
📅 2021-02-27
本发明涉及电子显示材料的技术领域，提供了一种氧化锌/氧化镍透明薄膜晶体管及制备方法。所述透明薄膜晶体管是以高掺杂硅片为底栅极，以二氧化硅为绝缘层，以氧化锌/氧化镍复合薄膜为半导体沟道材料，以Al为源极和漏极。其中，氧化锌/氧化镍复合薄膜是以六水合硝酸锌、六水合硝酸镍、氨基酸、去离子水组成的前驱体溶液经超声喷雾热解而附着于绝缘层上的。其中，氨基酸为L‑组氨酸或L‑半胱氨酸中的一种。本发明制得的薄膜晶体管的载流子迁移率达到38cm2·V‑1·s‑1以上，并且在正栅偏压应力、负栅偏压应力、自加热应力等电应力作用下均具有良好的稳定性。
📄 2021102193437
📂 H01L29_786
👤 陈小红
📅 2021-02-27
本发明提出了一种透明投影显示装置。该透明投影显示装置由投影机和聚合物分散液晶幕布组成；投影机投射图像于聚合物分散液晶幕布之上；聚合物分散液晶幕布由聚合物分散液晶像素以行列形式排列而成，其每个像素可在散射和透明状态间切换；聚合物分散液晶幕布上呈透明态的像素可供观看幕布后方的事物；聚合物分散液晶幕布上呈散射态的像素用于散射并显示投影机投射的图像；聚合物分散液晶幕布上每个像素的控制与传统TFT液晶显示器的控制一致，由薄膜晶体管有源矩阵驱动；投影机用于投射图像；投影机所投射的图像可由聚合物分散液晶幕布上呈散射态的像素散射，并进行显示。
📄 2020108608383
📂 G03B21_00
👤 成都工业学院
📅 2020-08-25
柿子坊 · 知识产权运营
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