本发明公开了雪崩光电二极管及其模组的感性冲击雪崩耐受测试方法，利用微亨级电感产生的反冲电压，通过对待测对象的电源输入端注入感性冲击能量，强制待测对象进入超过其击穿电压的深度雪崩状态；在所述深度雪崩状态的持续时间内，同步触发高速相机采集待测对象的瞬态电致发光光强分布图像，并同步记录电学波形；通过并联于待测对象的钳位保护电路提供过压保护。本发明解决了现有光电器件的静态测试方法无法模拟动态感性浪涌、传统功率器件UIS测试能量过大导致微小光电器件烧毁、现有手段无法对模组内部失效点进行可视化定位、依赖人工进行失效分析无法适应大规模量产筛选等技术难题。
📄 2026104642382
📂 G01R31_26
👤 龙岩学院
📅 2026-04-09
本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型衬底层上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底层的掺杂浓度；本发明提高了雪崩光电二极管器件的速率、频率响应和带宽。
📄 2014101228532
📂 H01L31_107
👤 南京模数智芯微电子科技有限公司
📅 2014-03-28
本发明涉及一种Ge/Si SACM结构雪崩光电二极管的等效电路模型建立方法，属于半导体光电二极管技术领域。该方法基于Ge/Si异质结特性，从器件内部的物理机理上对Ge/Si SACM-APD器件进行理论分析，从APD速率方程、噪声电流、暗电流和寄生参量四部分来建立APD的等效电路模型，包括以下步骤：1)将物理模型分解为多个部分，根据每一层结构构造载流子输运方程；2)构造对应于每一部分的子电路模块；3)互联这些子电路模块，建立等效电路模型。采用本方法可以很方便地对硅基APD器件进行模拟与设计，具有较好的应用前景。
📄 2015102046292
📂 G06F17_50
👤 重庆邮电大学
📅 2015-04-27
本发明公开了一种高击穿场强、高光电流密度的铌酸钠基无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(1‑x)NaNbO3‑xBa(Nb0.5Ni0.5)O3‑σ，式中x代表Ba(Nb0.5Ni0.5)O3‑σ占总物质量的摩尔比，x的取值为0.1～0.4。该陶瓷材料通过配料、预烧、球磨、压片、无压密闭烧结等工艺步骤制备而成。本发明制备方法简单、重复性好、成品率高，所得陶瓷材料具有光伏特性、光响应电流高，同时具有高的居里温度、高的极化强度和介电击穿强度，实用性强、易于生产，兼顾光伏特性和陶瓷电容器的储能特性，是一种性能优良的多功能无铅铁电陶瓷，是铁电光伏电池的一种新型备选材料。
📄 2021103181935
📂 C04B35_495
👤 陕西师范大学
📅 2021-03-25
本发明属于半导体技术领域。一种全光谱光电双通道器件的制备方法，包括以下步骤：在衬底表面生长AlN薄膜；在AlN薄膜表面蒸镀获得图形化顶电极或阴阳电极；在AlN薄膜和顶电极表面转移一层石墨烯/PMMA复合电极，或在AlN薄膜和阴阳电极表面各转移一层石墨烯/PMMA复合电极，阴阳电极表面的石墨烯/PMMA复合电极间隔设置；将顶电极或阴阳电极表面的PMMA蚀刻去除，即得光电双通道器件。本发明制备方法简单高效，制备而成的双通道器件可同时实现发光特性和光探测特性，器件性能好，光发射范围广，可覆盖紫外到红外波段。
📄 2020115568291
📂 H01L33_00
👤 惠州学院
📅 2020-12-25
描述了一种均匀桥接梯度(UBG)飞行时间(ToF)光电二极管块，例如用于与图像传感器像素集成。UBG ToF光电二极管块可以是UBG ToF像素的一部分，并且图像传感器可以包括此类像素的阵列。每个UGB ToF光电传感器块具有用于选择性激活的多个抽头，以及光电二极管区域，用于在产生光载流子时通过该多个抽头完成和快速传输光载流子。光电二极管区域的实施例包括光电二极管限定注入、相对浅的第一桥接注入和相对深的第二桥接注入。桥接注入在多个抽头附近和跨多个抽头提供具有均匀掺杂梯度的横向桥接。
📄 2022104112458
📂 H01L27_146
👤 深圳市汇顶科技股份有限公司
📅 2022-04-19
本实用新型涉及二极管加工技术领域，尤其涉及一种光电二极管加工用点胶装置，技术问题：现有的点胶机所采用的热熔胶点胶加工过程中，热熔胶固化速度慢，卸料过程中容易发生脱胶；技术方案：一种光电二极管加工用点胶装置，包括有机架、工作框、位移台座、点胶枪、转向机构、风冷组件、风环组件；本实用新型通过安装在点胶机上的风环组件配合风冷组件可以在点胶枪的外围一周连续输送冷风，在点胶枪移动点胶的过程中同步对点胶位置进行风冷降温，加速热熔胶的冷却固化，通过转向机构控制风环组件旋转调整位置，方便与点胶枪脱离并进行维护，解决了现有的点胶机所采用的热熔胶点胶加工过程中，热熔胶固化速度慢，卸料过程中容易发生脱胶的问题。
📄 2023233766779
📂 B05C9_12
👤 西安斯奈尔光电科技有限公司
📅 2023-12-11
已申报项目
本发明涉及一种半导体光电二极管封装结构，属于半导体封装技术领域，所述半导体光电二极管封装结构包括依次层叠的透明盖板、第一封装胶层、第二封装胶层、第三封装胶层、半导体光电二极管器件层、第四封装胶层、第五封装胶层、第六封装胶层以及背板。本发明采用多个封装胶层对半导体器件进行封装，提高了半导体器件的使用寿命，且该封装结构具有优异的水汽阻挡性能。
📄 2017104960136
📂 H01L31_0203
👤 南通华隆微电子股份有限公司
📅 2017-06-26
已申报项目
本发明提供一种光电二极管的制备方法、光电二极管和CMOS图像传感器，该方法包括：在衬底上形成遮蔽层，衬底具有第一掺杂类型，衬底上设置有预设位置，第一掺杂类型和第二掺杂类型不同；对遮蔽层进行处理，使预设位置上方的遮蔽层的厚度小于非预设位置上方的遮蔽层的厚度；对衬底进行离子注入，使注入的离子形成下表面为曲面的且具有第二掺杂类型的区域，以增加衬底与区域的接触面积；去除遮蔽层，得到光电二极管。本申请增加了具有第一掺杂类型的衬底与具有第二掺杂类型的区域的接触面积，提高了满阱容量。
📄 2019800005044
📂 H01L31_18
👤 武汉迅知云科技有限公司
📅 2019-03-21
本发明公开电栅自卷积硫化铅量子点夹层的硒化铅薄膜光电晶体管，属于光电晶体管技术领域；光电晶体管包括基底，基底上设置有栅极，栅极上包裹有绝缘层，绝缘层上设置有有源层，有源层包括两层硒化铅薄膜以及包裹在二者之间的硫化铅量子点层；硒化铅薄膜的右端设置有源极，绝缘层和有源层之间的左端设置有漏极；栅极采用电栅形式，利用栅极电压与光电反应的关系模型与卷积神经网络模型，内部形成卷积核，用算法测试验证卷积核，利用卷积神经网络模型构建样本校正，用算法测试验证，实现对光的寻址，提高了光电晶体管的准确性；且该光电晶体管具有较好的偏振敏感和宽光谱响应特性。
📄 202410414314X
📂 H01L31_113
👤 南京信息工程大学
📅 2024-04-08
本发明发现碱性磷酸酯酶的催化反应产物导致沉积在CdS电极表面的金属氧化物或者水合金属氧化物分解，从而大大激发了CdS材料修饰电极的阳极光电流。据此现象，以小鼠IgG为模型，建立了一种免疫反应与光电化学检测分离的高通量光电化学免疫分析方法。通过96微孔板进行夹心免疫反应，采用Au纳米粒子固载的碱性磷酸酯酶的催化反应产生信号分子激发CdS电极的光电流，从而实现高通量、高灵敏度、选择性地测定。并且，该方法成功避免了常规光电化学免疫检测中电极表面固定的生物大分子对信号的不利影响。
📄 2017113162968
📂 G01N33_53
👤 江南大学
📅 2017-12-12
本发明请求保护一种宽光谱响应的InGaAs单光子雪崩光电二极管，包括衬底，在所述衬底上设有短波透光窗口，在所述衬底一侧设有n电极,另一侧设有腐蚀截止层,在所述腐蚀截止层上依次设有InGaAs标准波长吸收层、长波吸收层、渐变层、电荷层、倍增层以及钝化层。在所述倍增层内设有阶梯型PN结,而在所述倍增层另一侧设有p电极和钝化层。所述p电极和阶梯型PN结、以及透光窗口三者处于同一轴线上。本发明采用长波吸收层对1700nm‑1800nm波长的光子进行吸收，同时通过衬底上的透光窗口，防止760nm‑900nm波段光子在衬底材料中被吸收。将InGaAs单光子雪崩光电二极管的响应波长范围从900nm‑1700nm拓展到760nm‑1800nm，为该波段范围内提供了单个光子的探测灵敏度。
📄 2019102809193
📂 H01L31_107
👤 重庆邮电大学
📅 2019-04-09
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