发明专利已授权

一种宽光谱响应的InGaAs单光子雪崩光电二极管及其制造方法

📄 申请号：CN201910280919.3 📄 发布日：2026/07/20

著录项目信息

申请日

2019-04-09

公开号

CN110071194B

公开日

2021-11-16

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_107

IPC 分类号

H01L31_107 , H01L31_0304 , H01L31_02 , H01L31_0216 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

半导体光电器件半导体光电器件单光子探测技术光通信器件

应用场景

量子通信, 单光子探测, 光通信, 激光雷达, 科学成像

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摘要

本发明请求保护一种宽光谱响应的InGaAs单光子雪崩光电二极管，包括衬底，在所述衬底上设有短波透光窗口，在所述衬底一侧设有n电极,另一侧设有腐蚀截止层,在所述腐蚀截止层上依次设有InGaAs标准波长吸收层、长波吸收层、渐变层、电荷层、倍增层以及钝化层。在所述倍增层内设有阶梯型PN结,而在所述倍增层另一侧设有p电极和钝化层。所述p电极和阶梯型PN结、以及透光窗口三者处于同一轴线上。本发明采用长波吸收层对1700nm‑1800nm波长的光子进行吸收，同时通过衬底上的透光窗口，防止760nm‑900nm波段光子在衬底材料中被吸收。将InGaAs单光子雪崩光电二极管的响应波长范围从900nm‑1700nm拓展到760nm‑1800nm，为该波段范围内提供了单个光子的探测灵敏度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20211116

✅ 授权

20190823

?? 实质审查的生效：

20190730

📄 公开

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