0本发明技术方案公开了一种沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺。所述沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有研磨停止层；依次刻蚀所述研磨停止层和半导体衬底，在所述研磨停止层和半导体衬底内形成沟槽；采用原子层沉积工艺在所述研磨停止层表面、所述沟槽侧壁及底部形成氧化硅层；采用TEOS‑Ozone热化学气相沉积工艺向所述沟槽内填充氧化硅，所述氧化硅填满所述沟槽且覆盖所述氧化硅层。本发明技术方案能够优化TEOS‑Ozone氧化硅薄膜的沉积速率、均匀性、致密性，从而提高薄膜质量及产能。
📄 2018114792926
📂 H01L21_762
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📅 2018-12-05
0本发明技术方案公开了一种图像传感器及其像素组和像素阵列，获取图像信息的方法。所述图像传感器的像素组包括：以矩阵排列的2n个感光元件，对应所述2n个感光元件的颜色滤光器和若干微透镜；其中，一行中每两个相邻的感光元件对应一个微透镜，n为自然数。本发明技术方案的图像传感器既能够生成深度图，又能够生成彩色图像，既无需增加额外的传感器或复杂精密的光学元件，且图像处理算法也不复杂。
📄 2018103405370
📂 H04N13_271
👤 淮安西德工业设计有限公司
📅 2018-04-17
0本发明提供一种图像传感器的制作方法，其在主体晶圆与载体晶圆之间的缝隙处设置一阻挡层，则在湿法蚀刻阶段，所述阻挡层能够阻挡蚀刻液进入所述缝隙，避免蚀刻液对缝隙的蚀刻，从而避免了缝隙被进一步扩大，降低后续制程中的滑片风险以及金属污染的情况发生的几率，提高产品的良率。
📄 2019102318308
📂 H01L27_146
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📅 2019-03-26
0一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：基底，所述基底包括若干第一区以及位于相邻第一区之间的第二区；传感器层，位于所述基底表面，第一区所述传感器层内具有光电二极管；金属栅格，位于第二区所述传感器层表面；滤色层，位于第一区所述传感器层表面；凹槽，位于所述滤色层内；折射层，填充满所述凹槽，所述折射层材料的折射率小于滤色层材料的折射率。本发明有助于降低光学串扰。
📄 2019102228212
📂 H01L27_146
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📅 2019-03-22
0一种图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有第一介质层；形成穿透硅通孔沟槽，所述穿透硅通孔沟槽贯穿所述半导体衬底以及所述第一介质层；形成格栅材料，所述格栅材料的一部分填充所述穿透硅通孔沟槽以形成穿透硅通孔，所述格栅材料的另一部分覆盖所述第一介质层以形成格栅材料层；在所述格栅材料层的表面形成衬垫；对未被所述衬垫覆盖的格栅材料层进行刻蚀，以形成网格状的格栅结构。本发明方案可以减少光刻工艺的数量，有效地降低制造成本。
📄 2019101464877
📂 H01L27_146
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📅 2019-02-27
0本发明提供一种图像传感器及其制备方法，包括感光器件层、光路调节层及滤光片层，感光器件层内包括至少一个感光区域；滤光片层包括至少一个由金属格栅隔离的滤光片；光路调节层设置在滤光片层和感光器件层之间，包括层叠式排列设置的多层透明物质，多层透明物质的折射率沿滤光片至感光器件层的方向依次减小，这样当红外光线入射至多层透明物质中时，会产生不同程度的折射，从而增加红外光学的光学路径，便于所述感光区域更好地吸收所述红外光。并且可以根据图像传感器的实际光路调节需求设定透明物质的层数，便于根据实际需要更好地吸收利用红外光。
📄 2019101129563
📂 H01L27_146
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📅 2019-02-13
0本公开涉及测试装置、测试装置的制造方法以及测试方法。在一个实施例中，本公开涉及测试装置，该测试装置可以包括：衬底，包含第一表面和第二表面；像素传感器阵列，布置在所述衬底内且对通过所述衬底的第一表面入射的光敏感；不透光的遮蔽层，布置在所述衬底的第一表面上方并且覆盖所述像素传感器阵列中的一部分像素传感器内的光电元件。
📄 2018100861583
📂 H01L23_544
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📅 2018-01-30
0本公开涉及一种研磨垫再生方法以及一种研磨设备。该方法包括将研磨垫生成材料的流体供应至研磨台的供应步骤；以及使研磨垫生成材料固化以形成研磨垫的固化步骤，其中，供应步骤和固化步骤被选择性地执行以补偿研磨垫在工作中的磨损。该设备包括：研磨台；研磨头，其承载有待研磨的制品；以及研磨垫，设置于研磨台的表面，其中研磨垫被构造成能够通过将研磨垫生成材料的流体供应至研磨台以及使研磨垫生成材料固化来再生，从而补偿研磨垫在工作中的磨损。
📄 2017109963554
📂 B24B37_26
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📅 2017-10-24
0一种化学机械研磨装置，包括：研磨主腔装置，研磨主腔装置包括承载墙壁，研磨主腔装置包括底主腔体和固定于底主腔体顶部的顶主腔体，顶主腔体中具有研磨液供给器；位于底主腔体的承载墙壁中的第一维护门；位于顶主腔体的承载墙壁中的第二维护门，第二维护门中具有贯穿第二维护门的第一开口；固定于研磨主腔装置外壁的顶悬挂腔体，顶悬挂腔体包括悬挂腔壁，悬挂腔壁与承载墙壁固定，悬挂腔壁中具有贯穿悬挂腔壁的第二开口，第二开口与第一开口连通；位于顶悬挂腔体底部表面的第一引流槽。所述化学机械研磨装置改善了漏水现象。
📄 2017110656148
📂 B24B37_10
👤 淮安西德工业设计有限公司
📅 2017-11-02
0一种晶圆处理装置及其工作方法，其中，晶圆处理装置包括：腔体，腔体内包括正位区，正位区用于放置晶圆，腔体具有第一外表面；自第一外表面通入腔体内的开口；固定于第一外表面的旋转装置，旋转装置与第一外表面平行；可动连接于旋转装置的复位装置，复位装置可绕旋转装置转动；探测装置，用于获取晶圆的位置信息；判断单元，用于根据位置信息判断是否至少部分晶圆位于正位区外；发射单元，当至少部分晶圆位于正位区外时，发射单元用于向复位装置发送复位信号，驱动复位装置绕旋转装置向开口旋转。利用所述晶圆处理装置能够降低对晶圆的污染。
📄 2018109592563
📂 H01L21_68
👤 淮安西德工业设计有限公司
📅 2018-08-22
0本发明涉及一种用于切割晶片的刀具，包括：第一刀片，其具有由具有第一尺寸的颗粒物制成的表面；第二刀片，其布置在第一刀片的第一侧，使得第二刀片至少部分地覆盖第一刀片的第一侧，其中所述第二刀片具有由具有第二尺寸的颗粒物制成的表面并且其中第二尺寸小于第一尺寸；以及第三刀片，其布置在第一刀片的第二侧，使得第三刀片至少部分地覆盖第一刀片的第二侧，其中所述第三刀片具有由具有第三尺寸的颗粒物制成的表面，并且其中第三尺寸小于第一尺寸。通过本发明，可以有效地避免应力损伤半导体器件或其所在衬底，从而提高芯片的良率和可靠性。
📄 2019104006828
📂 H01L21_302
👤 淮安西德工业设计有限公司
📅 2019-05-15
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