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摘 要:本发明公开了一种双向LVTSCR的ESD防护或抗浪涌方法,属于集成电路的静电放电防护及浪涌领域。本发明提供了一种可用于瞬态电压抑制或ESD的保护器件及其应用,所述保护器件包括SCR、NMOS和金属线,所述应用实例器件主要由P衬底、第一N阱、第二N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第六N+注入区、第一多晶硅栅以及其覆盖的第一薄栅氧化层、第二多晶硅栅以及其覆盖的第二薄栅氧化层。本发明利用了SCR结构的强ESD鲁棒性优点,通过引入NMOS结构和多条SCR路径,可降低触发电压,增强器件的单位面积ESD鲁棒性,有助于提高电路单元面积ESD或浪涌防护效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911132333.9 | 专利名称: | 一种双向LVTSCR的ESD或浪涌防护方法 |
申请日: | 2019-11-19 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 防护 SCR L LED芯片搜索 |
公开/公告日: | 2021-12-03 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111048508B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |