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摘 要:本发明公开了一种全对称LDMOS触发SCR结构的双向高压ESD防护器件,属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域。所述防护器件主要由一P衬底、深N阱、第一P阱、N阱、第二P阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第一多晶硅栅、第一薄栅氧化层、第一场氧隔离区、第二P+注入区、第二场氧隔离区、第二多晶硅栅、第二薄栅氧化层、第二N+注入区和第三P+注入区构成。本发明通过嵌入两个NLDMOS,构成开态NLDMOS和关态NLDMOS串联的辅助触发SCR电流路径,提高器件的耐压能力,使器件满足高压电源域的ESD防护需求增强器件的ESD鲁棒性,提高器件单位面积泄放效率,降低寄生SCR结构中的基区载流子浓度,提高器件的维持电压。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911132160.0 | 专利名称: | 一种全对称LDMOS触发SCR结构的双向高压ESD防护器件 |
申请日: | 2019-11-19 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 防护 SCR L 器件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |