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摘 要:本发明提出一种利用激光干涉技术快速制造大面积黑硅的方法。利用特定多光束干涉组合,形成点阵周期光场分布,在含硫化合物气氛环境下,利用较大的干涉光场分布和控制硅材料样品的二维平面位移,结合硅材料的激光刻蚀阈值,直接在硅材料表面快速形成大面积黑硅表面结构。通过对干涉光场的控制,可以获得结构周期可变的黑硅表面结构。同时该方法解决了传统飞秒激光扫描方法难以快速获得大面积黑硅表面结构以及结构周期不可控的局限。另外还具有系统结构简单,加工成本低的优点。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201210523560.6 | 专利名称: | 一种微结构周期可控的大面积黑硅的制造方法 |
申请日: | 2012-11-30 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B81C1/00搜分类 硅 微 微生物采样搜索 |
公开/公告日: | 2016-10-19 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN103848392B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |