发明专利 已授权

飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法

📄 申请号:CN201210303909.5 📄 发布日:2026/08/03

著录项目信息

申请日
2012-08-24
公开号
CN102838081B
公开日
2015-02-11
申请人
淮阴工学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

磁传感器, 生物医学检测, 微流控芯片, MEMS器件, 数据存储

摘要

本发明公开了一种利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法,包括以下步骤:(1)按衬底、缓冲层、磁性层、保护层的顺序沉积制作磁性薄膜;(2)利用飞秒激光作为光源,通过计算机精确控制样品台的位置,对磁性薄膜进行无掩膜辐照,得磁敏感微结构单元;其中,飞秒激光的参数为:单脉冲能量5~50μJ;脉冲宽度90~150fs;波长800nm;脉冲频率10~100Hz;样品台移动速度为60~500μm/min;在辐照时根据需要沿平行或垂直于磁性薄膜膜面方向施加0~500Oe的诱导磁场。本方法简单、高效、可控,且无需预先制造掩模。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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B81C1_00 覆盖1个领域

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