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摘 要:本发明公开了一种灰度曝光制备2.5D微纳结构的方法,属于半导体学中的微观结构技术领域。包括:将2.5D微纳结构的高度分成2N个等级,建立对应的N张二元曝光版图,其中N>I;再获取所述N张二元曝光版图的并集,建立一个额外的补偿版图;在硅片上旋涂光刻胶后进行N+1次分层曝光,获取包含2N种高度的光刻胶层;以光刻胶层作掩膜进行干法刻蚀制备纳米压印模板,通过软膜热固化纳米压印,再加上紫外固化纳米压印的二次转印即可批量生产。本发明的纳米压印模板图形精度高,具有2N个不同高度,且通过软膜转印、纳米压印、干法刻蚀制备的微纳结构效率高、成品率高、尺寸精确。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110470835.3 | 专利名称: | 一种灰度曝光制备2.5D微纳结构的方法 |
申请日: | 2021-04-29 | 申请/专利权人 | 华中科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B81C1/00搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2024-04-19 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113173559B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |