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摘 要:本发明公开了一种基于电场控制Ag2Ga纳米针阵列成形的制备方法,包括步骤:S1、通过光刻、蚀刻以在第一硅基板表面阵列形成针尖结构;S2、在针尖结构的尖端处镀一层镉薄膜和银薄膜,以形成探针阵列硅基底;S3、在第二硅基板表面涂覆一层镓膜,并进行加热以使镓膜成为液态,以形成镓膜衬底;S4、将镓膜衬底滑动连接于水平滑轨上;S5、将探针阵列硅基底滑动连接于垂直滑轨上;S6、对镓膜衬底与探针阵列硅基底接通直流电源,以形成电场;S7、通过控制电场强度,以及镓膜衬底、探针阵列硅基底于水平滑轨、垂直滑轨上的滑动方向、滑动速度,以在探针阵列硅基底与镓膜衬底之间形成相应形状的Ag2Ga纳米针。本发明实现了Ag2Ga纳米针阵列成形且形状可控。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110564032.4 | 专利名称: | 一种基于电场控制Ag2Ga纳米针阵列成形的制备方法 |
申请日: | 2021-05-24 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街1158号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B81C1/00搜分类 纳米材料搜索 |
公开/公告日: | 2024-04-05 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113387323B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |